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符合RoHS标准
无铅

S25FS128SDSBHI200

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S25FS128SDSBHI200
S25FS128SDSBHI200
数据手册

商品详情

  • 密度
    128 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度
    -40 °C to 85 °C
  • 工作电压
    1.8 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口带宽
    80 MByte/s
  • 接口
    Quad SPI
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    133 / 80
  • 目前计划的可用性至少到
    2035
  • 系列
    FS-S
  • 认证标准
    Industrial
推荐的
OPN
S25FS128SDSBHI200
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TFBGA-24
封装名 FBGA-24 (002-15534)
包装尺寸 3380
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TFBGA-24
封装名 FBGA-24 (002-15534)
包装尺寸 3380
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
S25FS128SDSBHI200是一款128 Mbit（16 MB）SPI多I/O NOR闪存，采用65 nm MIRRORBIT™技术。工作电压1.7 V至2.0 V，支持最高+125°C的工业和汽车级（AEC-Q100 Grade 1）。四路模式最大读速66 MBps，DDR四路I/O模式达80 MBps。具备混合与均匀扇区选项、扩展寻址、自动ECC、先进扇区保护和20年数据保持。

特性

  • 串行外设接口（SPI）
  • 支持双倍数据速率（DDR）
  • 24或32位地址选项
  • 多I/O命令支持
  • 正常、快速、双、四、DDR四I/O读取
  • Burst Wrap、连续（XIP）、QPI模式
  • 256或512字节页编程缓冲区
  • 自动ECC，单比特纠错
  • 混合与统一扇区擦除选项
  • 最少10万次擦写周期
  • 最长20年数据保存
  • 1.7 V至2.0 V电源电压

产品优势

  • 灵活SPI兼容多主控
  • DDR与四I/O实现高速传输
  • 32位寻址支持大容量设计
  • 多I/O提升读写效率
  • 多种读取模式适应不同应用
  • XIP/QPI支持在位执行
  • 大页缓冲区加快编程
  • ECC提升数据可靠性
  • 灵活擦除便于分区
  • 高耐久延长寿命
  • 长期保存保障数据安全
  • 低电压降低功耗

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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