S26HS01GTFPBHV020
现货,推荐
符合RoHS标准
无铅

S26HS01GTFPBHV020

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S26HS01GTFPBHV020
S26HS01GTFPBHV020
  • 密度
    1 GBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 105 °C
  • 工作电压 范围
    1.7 V 至 2 V
  • 工作电压
    1.8 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口带宽
    333 MByte/s
  • 接口
    HYPERBUS
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    - / 166
  • 目前计划的可用性至少到
    2037
  • 系列
    HS-T
  • 认证标准
    Industrial
OPN
S26HS01GTFPBHV020
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
封装名 BGA-24 (002-22282)
封装尺寸 260
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
封装名 BGA-24 (002-22282)
封装尺寸 260
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
S26HS01GTFPBHV020是一款1.0 Gbit SEMPER™ NOR闪存,用于工业嵌入式系统的代码与数据存储。器件为HS-T系列,供电1.7 V至2.0 V,支持HYPERBUS接口,DDR最高166 MHz(333 MByte/s)。内置SECDED ECC、接口CRC与数据完整性CRC,用于读操作及编程/擦除的错误检测与校正。采用24球BGA封装,工作温度-40至105°C。

特性

  • 45 nm MIRRORBIT™每单元2位
  • HYPERBUS™ DDR读400 MBps
  • 兼容JEDEC JESD251 xSPI
  • 读数据用DS数据选通
  • 默认启动x1 SPI或x8
  • 256 KB均匀或混合扇区
  • 256/512字节页编程缓存
  • 16字节数据单元内置ECC
  • SECDED纠1位检2位
  • ECC上报:INT#/计数/陷阱
  • 扇区保护DYB/PPB
  • 非易失保护可密码锁定

产品优势

  • 相同芯片面积实现更高密度
  • 加速XIP读取与代码执行
  • 基于JEDEC更易对接主控
  • 高速读数据捕获更可靠
  • 启动模式更灵活可兼容
  • 按应用优化擦除粒度
  • 更少写入提升编程效率
  • 自动纠正随机位翻转
  • 及早发现双位错误风险
  • 便于记录与定位ECC故障
  • 防止误擦除/误编程
  • 安全锁定保护配置

应用

文档

设计资源

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }