现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

S26HS01GTFPBHV020

数据手册
封装

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S26HS01GTFPBHV020
S26HS01GTFPBHV020
数据手册

商品详情

  • 密度
    1 GBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度
    -40 °C to 105 °C
  • 工作电压
    1.8 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口带宽
    333 MByte/s
  • 接口
    HYPERBUS
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    - / 166
  • 目前计划的可用性至少到
    2035
  • 系列
    HS-T
  • 认证标准
    Industrial
推荐的
OPN
S26HS01GTFPBHV020
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-BGA-24
封装名 BGA-24 (002-22282)
包装尺寸 260
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-BGA-24
封装名 BGA-24 (002-22282)
包装尺寸 260
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
英飞凌 SEMPER ™ NOR 闪存系列中的 S26HS01GTFPBHV020 是一款高密度存储器解决方案，密度为 1 Gbit。它采用HYPERBUS ™接口，带宽为333 MByte/s，工作电压为1.8V。该产品采用英飞凌的45纳米MIRRORBIT ™技术，并提供各种配置选项以满足不同客户的需求。其接口频率（SDR/DDR）为166 MHz，采用PG-BGA-24封装。

特性

  • xSPI (HYPERBUS ™ )
  • 集成关键安全功能
  • 纠错码
  • 产品可用性超过 10 年
  • 数据保留时间长达 25 年
  • 安全启动和诊断

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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