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符合RoHS标准
无铅

S26KL128SDABHB020

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封装
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S26KL128SDABHB020
S26KL128SDABHB020
数据手册

商品详情

  • 分类
    ISO 26262-ready
  • 初始访问时间
    96 ns
  • 密度
    128 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度
    -40 °C to 105 °C
  • 工作电压
    3 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 总线宽度
    x8
  • 技术
    HYPERFLASH
  • 接口带宽
    200 MByte/s
  • 接口
    HYPERBUS
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    - / 100
  • 目前计划的可用性至少到
    2035
  • 系列
    KL-S
  • 认证标准
    Automotive
推荐的
OPN
S26KL128SDABHB020
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-BGA-24
封装名 FBGA-24 (002-15550)
包装尺寸 676
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-BGA-24
封装名 FBGA-24 (002-15550)
包装尺寸 676
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
S26KL128SDABHB020是一款128 Mb（16 MB）HYPERFLASH™ NOR闪存，采用HYPERBUS™ DDR接口，支持3.0 V工作电压和8位数据总线。1.8 V下持续读取速度高达333 MBps，3.0 V下为200 MBps，初始随机读取为96 ns。具备512字节编程缓存、单比特纠错和双比特检测ECC、硬件CRC、高级扇区保护及低功耗待机和深度掉电模式。工作温度–40°C至+105°C（AEC-Q100 2级），适用于汽车、工业和嵌入式高速可靠存储。

特性

  • 3.0 V I/O，11条总线信号
  • 1.8 V I/O，12条总线信号
  • 最高333 MBps持续读吞吐量
  • DDR：每时钟两次数据传输
  • 8位数据总线（DQ[7:0]）
  • 96 ns初始随机读访问时间
  • 512字节编程缓冲区
  • ECC：1位纠错，2位检测
  • 硬件加速CRC计算
  • 安全硅区（1024字节OTP）
  • 高级扇区保护方法
  • 低功耗模式：待机25 µA，深度掉电8 µA

产品优势

  • 高吞吐量实现快速数据访问
  • DDR提升系统性能
  • 8位总线便于集成
  • 快速随机访问降低延迟
  • 大缓冲区加快编程
  • ECC确保数据完整性
  • CRC快速检测数据错误
  • 安全区保护关键数据
  • 灵活扇区保护增强安全
  • 低功耗延长电池寿命

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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