现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

S28HS01GTGZBHM030

数据手册
封装
每件.
有存货

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S28HS01GTGZBHM030
S28HS01GTGZBHM030
每件.
数据手册

商品详情

  • 分类
    ISO 26262-compliant
  • 在NPSG中发布
    N
  • 在PSG中发布
    N
  • 密度
    1 GBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度
    -40 °C to 125 °C
  • 工作电压
    1.8 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口带宽
    400 MByte/s
  • 接口
    Octal
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    166 / 200
  • 目前计划的可用性至少到
    2037
  • 系列
    HS-T
  • 认证标准
    Automotive
推荐的
OPN
S28HS01GTGZBHM030
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-BGA-24
封装名 BGA-24 (002-22282)
包装尺寸 520
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-BGA-24
封装名 BGA-24 (002-22282)
包装尺寸 520
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
S28HS01GTGZBHM030是一款1 Gb汽车级NOR闪存，采用英飞凌45纳米MIRRORBIT™技术，八路接口支持最高200 MHz SDR/DDR。工作电压1.7 V至2.0 V，温度-40°C至+125°C（AEC-Q100 1级）。具备灵活扇区架构、内置ECC（SECDED）、Endurance Flex、ISO 26262 ASIL B合规、接口/数据CRC、SafeBoot和高级扇区保护。主阵列最小擦写次数256万，数据保存25年。

特性

  • 45 nm MIRRORBIT™单元存2位
  • 支持均匀/混合扇区架构
  • 256/512字节编程缓冲区
  • 1024字节OTP安全阵列
  • 八路接口，JEDEC JESD251兼容
  • SDR最高200MBps，DDR最高400MBps
  • DS简化高速读取
  • 功能安全ISO26262 ASIL B/D
  • Endurance Flex耐久均衡
  • 接口/数据完整性CRC
  • 内置ECC纠1位检2位错
  • 传统/高级扇区保护

产品优势

  • 2位/单元高密度节省板空间
  • 灵活扇区适应多场景
  • 大缓冲提升编程效率
  • OTP阵列安全存储密钥
  • 八路接口高速传输
  • SDR/DDR满足高性能需求
  • DS简化高速设计
  • 功能安全适用车规/工业
  • 均衡耐久延长寿命
  • CRC保障数据可靠
  • ECC提升数据安全
  • 多级保护防数据配置丢失

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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