S29GL128P10TFI013

数据手册
软件

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

S29GL128P10TFI013
S29GL128P10TFI013
数据手册

商品详情

  • 初始访问时间
    100 ns
  • 密度
    128 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 工作电压
    3 V
  • 引线球表面
    Matte Tin Plating
  • 接口
    Parallel
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    NA
  • 系列
    GL-P
  • 认证标准
    Industrial
  • 页面访问时间
    25 ns
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
S29GL128P10TFI013是一款128 Mbit页模式Flash存储器，采用90 nm MirrorBit®技术，支持单3 V读、写和擦除操作，供电电压范围2.7 V至3.6 V，VersatileIO™（VIO）为1.65 V至VCC。具备25 ns页访问、100 ns随机访问、128 Kbyte均匀扇区架构及32字写缓冲区，提升编程效率。典型待机电流1 µA，每扇区支持10万次擦除，数据保持20年。工业温度范围（-40°C至85°C）及高级扇区保护，适用于嵌入式、汽车和工业高密度非易失性存储应用。

特性

  • 90 nm MirrorBit工艺技术
  • 单3 V读/编程/擦除操作
  • VersatileIO控制(1.65 V至VCC I/O)
  • 32字/64字节写缓冲区
  • 8字/16字节页读缓冲区
  • 统一64 K字/128 K字节扇区
  • 128字/256字节安全硅区
  • 高级扇区保护方法
  • 编程/擦除挂起与恢复
  • 硬件数据保护(WP#/ACC, VCC)
  • 写脉冲毛刺保护
  • 每扇区10万次擦除(典型)

产品优势

  • 高密度满足嵌入式存储需求
  • 低电压降低功耗
  • 灵活I/O便于系统集成
  • 写缓冲区加快编程
  • 页读缓冲区提升访问速度
  • 简化内存管理
  • 安全区用于永久ID
  • 防止数据意外更改
  • 挂起/恢复提升系统效率
  • 硬件保护防止数据丢失
  • 毛刺保护确保数据完整
  • 高耐久性延长寿命

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }