现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

S70FL01GSDPMFV011

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每件.
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S70FL01GSDPMFV011
S70FL01GSDPMFV011
每件.
数据手册

商品详情

  • 密度
    1 GBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 105 °C
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 工作电压
    3 V
  • 引线球表面
    Matte Tin Plating
  • 接口带宽
    66 MByte/s
  • 接口
    Quad SPI
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    133 / 66
  • 目前计划的可用性至少到
    2035
  • 系列
    FL-S
  • 认证标准
    Industrial
推荐的
OPN
S70FL01GSDPMFV011
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-16
封装名 SOIC-16 (002-15547)
包装尺寸 235
包装类型 TUBE
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-16
封装名 SOIC-16 (002-15547)
包装尺寸 235
包装类型 TUBE
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
S70FL01GSDPMFV011是一款1 Gbit（128 Mbyte）FL-S NOR闪存，采用双芯片堆叠结构，支持SPI多I/O接口，具备普通、快速、双、四和DDR读取模式，最高80 MHz。核心电源电压范围为2.7 V至3.6 V，最少支持100,000次擦写循环和20年数据保持。256 kbyte均匀扇区、OTP和块保护及AEC-Q100汽车级选项，确保工业和汽车环境中的可靠运行。

特性

  • 双芯片堆叠架构
  • SPI多I/O接口
  • 支持普通、快速、双、四、DDR读
  • 32位扩展寻址
  • 512字节页编程缓存
  • 最少10万次擦写寿命
  • 最少20年数据保持
  • 2048字节OTP区
  • 块与高级扇区保护
  • 核心电压2.7-3.6 V
  • I/O电压1.65-3.6 V
  • SCK最高133 MHz（单），104 MHz（四）

产品优势

  • 小体积实现大容量存储
  • 灵活接口便于系统集成
  • 快速数据访问满足需求
  • 大寻址空间支持大数据
  • 高效页编程提升速度
  • 高可靠性频繁擦写无忧
  • 长期数据保存更安全
  • OTP区保障代码安全
  • 强大保护防误操作
  • 兼容3 V系统应用
  • 适配多种I/O电压
  • 高速操作提升吞吐量

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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