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符合RoHS标准

S70KL1282GABHV020

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封装
每件.
有存货

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S70KL1282GABHV020
S70KL1282GABHV020
每件.
数据手册

商品详情

  • 初始访问时间
    35 ns
  • 密度
    128 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 105 °C
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 工作电压
    3 V
  • 引线球表面
    N/A
  • 技术
    HYPERRAM
  • 接口带宽
    400 MByte/s
  • 接口
    HYPERBUS
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    - / 200
  • 目前计划的可用性至少到
    See roadmap
  • 系列
    KL-2
  • 认证标准
    Industrial
推荐的
OPN
S70KL1282GABHV020
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-BGA-24
封装名 BGA-24 (002-15550)
包装尺寸 3380
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-BGA-24
封装名 BGA-24 (002-15550)
包装尺寸 3380
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
S70KL1282GABHV020是一款128 Mb HYPERRAM™自刷新DRAM（PSRAM），采用HYPERBUS™接口。支持2.7 V至3.60 V供电，DDR在最高200 MHz时钟下实现最高400 MBps吞吐量，最大访问时间35 ns。具备RWDS读选通/写掩码、可选DCARS、线性与包裹突发可配置，并支持混合休眠或深度掉电，采用24球FBGA封装。

特性

  • HYPERBUS接口
  • VCC 1.7 V至2.0 V选项
  • VCC 2.7 V至3.60 V选项
  • 8位DDR数据总线DQ[7:0]
  • 最高200 MHz时钟
  • 吞吐量高达400 MBps
  • tACC最大35 ns
  • 环绕突发16/32/64/128 B
  • RWDS选通与写数据屏蔽
  • DCARS移位RWDS相位
  • 混合睡眠保留数据
  • 深度掉电停止刷新

产品优势

  • 少引脚实现高带宽
  • 适配1.8 V或3.0 V逻辑
  • DDR减少系统引脚数
  • 200 MHz匹配高速处理器
  • 400 MBps支撑高速缓存
  • tACC 35 ns降低读延迟
  • 突发长度匹配缓存行
  • RWDS简化DDR时序收敛
  • DCARS提升读数据眼图裕量
  • 混合睡眠省电且保留数据
  • 深度掉电时泄漏更低
  • 停钟时降低停滞电流

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }