S70KS1282GABHM023

数据手册

封装

S70KS1282GABHM023

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商品详情

初始访问时间

35 ns
密度

128 MBit
峰值回流温度

260 °C
工作温度范围

-40 °C 至 125 °C
工作电压范围

1.7 V 至 2 V
工作电压

1.8 V
引线球表面

Sn/Ag/Cu
技术

HYPERRAM
接口带宽

400 MByte/s
接口

HYPERBUS
接口频率(SDR/DDR) (MHz)

- / 200
目前计划的可用性至少到

See roadmap
系列

KS-2
认证标准

Automotive

	推荐的
OPN	S70KS1282GABHM023
产品状态	active and preferred
英飞凌封装名称	PG-BGA-24
封装名	BGA-24 (002-15550)
包装尺寸	2500
包装类型	TAPE & REEL
湿度	3
防潮包装	DRY
无铅	No
无卤素	No
符合RoHS标准	Yes
Infineon stock last updated:

产品状态	Active
英飞凌封装名称	PG-BGA-24
封装名	BGA-24 (002-15550)
包装尺寸	2500
包装类型	TAPE & REEL
湿度	3
防潮包装	DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

S70KS1282GABHM023是一款128 Mbit HyperRAM自刷新DRAM，采用HyperBus接口，8位DQ并带RWDS与RESET#，封装为24球FBGA（1.00 mm间距）。支持200 MHz DDR传输，吞吐量达400 MBps（3,200 Mbps），最大访问时间tACC为35 ns。满足AEC-Q100 Grade 1（-40°C至+125°C），VCC为1.7 V至2.0 V，支持可配置突发长度、深度掉电与混合休眠模式。

特性

HyperBus接口
8位DQ[7:0]数据总线
DDR双沿传输
最大200 MHz时钟
吞吐量高达400 MBps
可选差分时钟CK/CK#
RWDS选通与写数据屏蔽
可选DCARS相移RWDS
突发可配:线性/回绕
回绕突发:16/32/64/128B
Hybrid Sleep模式
Deep Power Down模式

产品优势

HyperBus减少并口引脚数
8位总线简化PCB布线
DDR每时钟提升带宽
200 MHz实现快速访问
400 MBps支持高数据应用
差分时钟提升信号完整性
RWDS简化时序与字节写
DCARS提升读数据眼裕量
突发配置适配访问模式
回绕突发减少边界命中
睡眠模式降低空闲功耗
深度掉电降低系统功耗

应用

设计资源

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }

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