S80KS2562GABHV020
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

S80KS2562GABHV020

数据手册
封装

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S80KS2562GABHV020
S80KS2562GABHV020
数据手册
  • 初始访问时间
    35 ns
  • 密度
    256 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 105 °C
  • 工作电压 范围
    1.7 V 至 2 V
  • 工作电压
    1.8 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 技术
    HYPERRAM
  • 接口带宽
    400 MByte/s
  • 接口
    HYPERBUS
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    - / 200
  • 目前计划的可用性至少到
    See roadmap
  • 系列
    KS-2
  • 认证标准
    Industrial
推荐的
OPN
S80KS2562GABHV020
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-BGA-24
封装名 FBGA-24 (002-15550)
封装尺寸 338
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-BGA-24
封装名 FBGA-24 (002-15550)
封装尺寸 338
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
S80KS2562GABHV020为256 Mb HYPERRAM自刷新DRAM，采用1.8 V HYPERBUS接口。8位DDR总线在200 MHz下吞吐量达400 MBps，最大访问时间35 ns。器件供电1.7 V至2.0 V，24球FBGA（6 x 8 x 1.0 mm），支持线性或16至128字节包裹突发（含混合选项），并提供混合睡眠与深度掉电（105°C时15 µA）以降低待机功耗。

特性

  • HYPERBUSa0接口, CS#, RESET#
  • 8a0位DQ[7:0]a0数据总线
  • RWDSa0选通+a0写数据屏蔽
  • DDRa0双沿传输
  • 200a0MHz,a0tACCa035a0ns
  • 吞吐达400a0MBps
  • 突发: 线性/环绕16-128 B
  • 可配置输出驱动强度
  • 自刷新+a0部分阵列刷新
  • 待机时忽略除CS#/RST外IO
  • 混合睡眠保留数据,a0a03a0b5s
  • 深度掉电停止刷新

产品优势

  • 便于MCU/FPGAa0扩展RAM
  • 8a0位总线降低布线复杂度
  • RWDS简化时序与写屏蔽
  • DDR提升每引脚带宽
  • 200a0MHz/35a0ns降低延迟
  • 400a0MBps支持高速图形
  • 突发模式提升总线效率
  • 驱动可调改善信号完整性
  • 部分刷新降低待机功耗
  • 待机减少空闲总线翻转
  • 混合睡眠省电且保留数据
  • DPD将电流降至b5A级

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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