现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

S80KS5122GABHV023

数据手册
封装

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S80KS5122GABHV023
S80KS5122GABHV023
数据手册

商品详情

  • 初始访问时间
    35 ns
  • 密度
    512 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 105 °C
  • 工作电压 范围
    1.7 V 至 2 V
  • 工作电压
    1.8 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 技术
    HYPERRAM
  • 接口带宽
    400 MByte/s
  • 接口
    HYPERBUS
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    - / 200
  • 目前计划的可用性至少到
    See roadmap
  • 系列
    KS-2
  • 认证标准
    Industrial
推荐的
OPN
S80KS5122GABHV023
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-BGA-24
封装名 BGA-24 (002-15550)
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-BGA-24
封装名 BGA-24 (002-15550)
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
S80KS5122GABHV023是一款512 Mb HYPERRAM™自刷新DRAM，采用1.8 V HYPERBUS™接口（8位DQ、RWDS、CS#、RESET#）。支持DDR最高200 MHz，吞吐量400 MBps，最大访问35 ns，并可配置线性或环绕突发（16至128字节）。VCC范围1.7 V至2.0 V，105°C深度掉电30 µA。GA速度档，24球FBGA。

特性

  • HyperBus接口
  • VCC1.7 V
  • 单端或差分时钟输入
  • 8位DDR总线+ RWDS
  • 最高200 MHz时钟
  • 吞吐量最高400 MBps
  • 最大访问时间tACC35 ns
  • 突发模式线性/回绕
  • 回绕突发16/32/64/128B
  • 接口待机忽略I/O引脚
  • 时钟停振tACC+30 ns后
  • 混合睡眠CR1[5]保留数据

产品优势

  • 400 MBps支持高速缓冲
  • DDR提升单位引脚带宽
  • 1.8 V接口匹配低压SoC
  • RWDS简化时序收敛
  • 线性突发适合流式读
  • 回绕突发匹配缓存行填充
  • 待机降低空闲功耗
  • 停振降低传输暂停功耗
  • 混合睡眠保留RAM数据
  • 3 us入睡降低唤醒成本
  • 100 us唤醒提高响应速度
  • 深度掉电降低漏电

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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