S80KS5123GABHV020
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

S80KS5123GABHV020

数据手册
封装

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S80KS5123GABHV020
S80KS5123GABHV020
数据手册
  • 初始访问时间
    35 ns
  • 密度
    512 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 105 °C
  • 工作电压 范围
    1.7 V 至 2 V
  • 工作电压
    1.8 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 技术
    HYPERRAM
  • 接口带宽
    400 MByte/s
  • 接口
    xSPI (Octal)
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    - / 200
  • 目前计划的可用性至少到
    See roadmap
  • 系列
    KS-3
  • 认证标准
    Industrial
推荐的
OPN
S80KS5123GABHV020
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-BGA-24
封装名 BGA-24 (002-15550)
封装尺寸 338
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-BGA-24
封装名 BGA-24 (002-15550)
封装尺寸 338
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
S80KS5123GABHV020是一款512 Mb HYPERRAM™自刷新DRAM，采用八线xSPI DDR接口，用于嵌入式与汽车设计的高带宽存储扩展。供电1.7 V至2.0 V，最高200 MHz时钟，吞吐量可达400 MBps（3,200 Mbps），最大访问时间35 ns。支持线性/包裹突发配置，以及Hybrid Sleep与Deep Power Down（105°C下30 µA）以降低功耗。

特性

  • 八通道xSPI接口含CS#
  • 8位DQ[7:0]数据总线
  • DDR双沿传输
  • 最高时钟200 MHz
  • 吞吐量高达400 MBps
  • 最大访问时间tACC 35 ns
  • RWDS选通/掩码/延迟
  • 突发可配线性或回绕
  • 回绕16/32/64/128字节
  • 混合休眠CR1[5]保留
  • 深度掉电CR0[15]
  • VCC电源1.7 V到2.0 V

产品优势

  • 适配xSPI主控接口
  • 高带宽支持取指/取数
  • DDR提高每周期吞吐
  • 200 MHz实现快速访问
  • tACC 35 ns降低读延迟
  • RWDS简化时序裕量
  • 突发匹配缓存行读取
  • 回绕突发减少总线开销
  • 混合休眠省电且保留数据
  • 深度掉电降低漏电
  • 停钟状态降低停滞功耗
  • 适配1.8 V电源轨

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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