SPB80N06S-08

55V、N 通道、最大 8 mΩ、汽车 MOSFET、D2PAK、SIPMOS ™

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SPB80N06S-08
SPB80N06S-08

商品详情

  • ID (@25°C) max
    80 A
  • IDpuls max
    320 A
  • Ptot max
    300 W
  • QG (typ @10V) max
    19 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    8 mΩ
  • RthJC max
    0.5 K/W
  • VDS max
    55 V
  • VGS(th) min
    2.1 V
  • VGS(th) max
    4 V
  • Package
    D2PAK (PG-TO263-3)
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Technology
    SIPMOS™
  • Polarity
    N
  • Qualification
    Automotive
  • Budgetary Price €/1k
    1.94
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:

特性

  • N沟道 - 正常级别 - 增强模式
  • 符合汽车 AEC Q101 标准
  • MSL1 最高回流温度可达 260°C 峰值
  • 工作温度为 175°C
  • 雪崩测试
  • 重复雪崩高达 Tjmax = 175 ° VDD=30 V、ID=80 A、VGS=10 V、RG=2.4 W
  • dv/dt 额定值

产品优势

  • 采用平面技术,55V(开启)时 RDS 为全球最低
  • 最高电流能力
  • 最低的开关和传导功率损耗,实现最高的热效率
  • 坚固耐用的封装,品质卓越,可靠性高
  • 优化的总栅极电荷可实现更小的驱动器输出级

应用

文档

设计资源

开发者社区

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