SPW47N65C3
不建议用于新设计
符合RoHS标准
无铅

SPW47N65C3

封装
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SPW47N65C3
SPW47N65C3
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商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    47 A
  • 最高 ID
    47 A
  • 最高 IDpuls
    141 A
  • 最高 Ptot
    415 W
  • QG
    255 nC
  • QG (typ @10V)
    255 nC
  • 最高 RDS (on)
    70 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    70 mΩ
  • 最高 RthJA
    62 K/W
  • 最高 RthJC
    0.3 K/W
  • Rth
    0.3 K/W
  • 最高 VDS
    650 V
  • VGS(th) 范围
    2.1 V 至 3.9 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    TO247
  • 最低 工作温度
    -55 °C
  • 极性
    N
  • 预算价格€/1k
    6.49

OPN
SPW47N65C3FKSA1
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 TO247
封装尺寸 240
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
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产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 TO247
封装尺寸 240
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
视图替换
650V CoolMOS ™ C3 是英飞凌的第三系列 CoolMOS ™ ，于 2001 年进入市场。650V CoolMOS ™ C3 的替代品是 CoolMOS ™ P7。

特性

  • 低导通电阻 (RDS(on)*A)
  • 输出电容中极低的能量存储 (Eoss) @400V
  • 低栅极电荷 (Qg)
  • 经过现场验证的 CoolMOS ™质量
  • CoolMOS ™技术自 1998 年起由英飞凌生产

产品优势

  • 高效率和功率密度
  • 出色的性价比
  • 高可靠性
  • 易于使用

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区