现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

AIMBG120R080M1

汽车级 1200V 碳化硅 (SiC) 沟槽功率 MOSFET，采用 D2PAK-7L 封装，160mΩ
数据手册
封装
每件.
有存货

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

AIMBG120R080M1
AIMBG120R080M1
每件.
数据手册

商品详情

  • Ciss
    671 pF
  • Coss
    35 pF
  • ID (@25°C) max
    30 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    168 W
  • QG
    24 nC
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    80 mΩ
  • RthJC max
    0.89 K/W
  • VDS max
    1200 V
  • VGSS, off
    0
  • VGSS, on
    20
  • Package
    TO-263-7
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Technology
    CoolSiC™ G1
  • Launch year
    2023
  • Polarity
    N
  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Qualification
    Automotive
受到推崇的
OPN
AIMBG120R080M1XTMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TO263-7
封装名 D2PAK 7-pin
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO263-7
封装名 D2PAK 7-pin
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
凭借英飞凌性能优化的芯片技术 (Gen1p)，SiC Mosfet 具有一流的开关性能、抗寄生导通的稳健性以及改进的 RDSon 和 Rth(jc)。高功率密度、卓越的效率、双向充电功能以及显著降低的系统成本使其成为车载充电器和 DCDC 应用的理想选择。

特性

  • 革命性的半导体材料——碳化硅
  • 极低的开关损耗
  • 无阈值开启状态特性
  • 0V 关断栅极电压
  • 基准栅极阈值电压，VGS(th)=4.5V
  • 完全可控的 dv/dt
  • 换向稳健的体二极管，可用于同步整流
  • 与温度无关的关断开关损耗
  • 用于优化开关性能的感测引脚
  • 适合高压爬电要求
  • XT 互连技术，实现一流的热性能

产品优势

  • 提高效率
  • 启用更高频率
  • 提高功率密度
  • 减少冷却工作量
  • 降低系统复杂性和成本

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }