IAUTN08S5N012L
现货，推荐
符合RoHS标准

IAUTN08S5N012L

80 V、N 通道、1.15 mΩ 或 9.0 mΩ（最大值）、汽车 MOSFET、TOLL（10x12）、OptiMOS ™ 5
数据手册
封装
评估板

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IAUTN08S5N012L
IAUTN08S5N012L
数据手册
  • Country of Assembly (Last BE site, current, subject to change)
    Malaysia
  • Country of Diffusion (Last FE site, current, subject to change)
    Germany
  • 最高 ID (@25°C)
    300 A
  • 最高 QG (typ @10V)
    24 nC, 231 nC
  • QG (typ @10V)
    19 nC, 178 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    9 mΩ, 1.15 mΩ
  • 最高 VDS
    80 V
  • VGS(th) 范围
    2.5 V 至 3.3 V
  • VGS(th)
    2.9 V
  • 封装
    PG-HSOF-8-2
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 技术
    OptiMOS™5
  • 推出年份
    2024
  • 极性
    N
  • 目前计划的可用性至少到
    2038
  • 认证标准
    Automotive
推荐的
OPN
IAUTN08S5N012LATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-HSOF-8
封装名 TOLL
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-HSOF-8
封装名 TOLL
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

特性

  • 一个封装中有两种 MOSFET 类型
  • 线性 FET 和低 RDS(on) FET 类型
  • LINFET 切换速度慢，限制电流
  • ONFET 可限制稳态损耗
  • LINFET 增强了 SOA
  • VGS(th) 范围窄，适合并联
  • 每个 MOSFET 都有专用的栅极引脚
  • 共用 MOSFET 源极和漏极引脚
  • 符合 AEC-Q101 要求并符合 PPAP 要求
  • 增强电气测试
  • MSL1 最高回流温度可达 260°C 峰值
  • 工作温度175°C

产品优势

  • 同一部件中包含两种最佳 MOSFET 类型
  • 每个 MOSFET 的独立控制
  • 通过慢速开关最大限度地降低 EMI
  • 限制浪涌电流
  • 过压保护钳位
  • 利用 ONFET 最大限度降低传导损耗
  • 高 VDS 下的高线性模式电流
  • 可以替换 2 个 FET，节省成本
  • 久经考验的坚固耐用 OptiMOS ™ 5 和 TOLL
  • 专为汽车坚固性而设计
  • 汽车行业的高质量生产

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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