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双通道 MOSFET EiceDRIVER™ 驱动器 IC,是控制 IC、大功率 MOSFET 和 GaN 开关器件之间的关键纽带。 MOSFET 驱动器 IC 可实现高系统级效率、出色的功率密度和一致的系统稳健性。

  • ±5 A 拉/灌电流
  • 传播延迟精度 +6/-4ns
  • 1.8 µs 输出启动时间
  • 500 ns 输出关闭时间
  • 有源输出电压钳位
  • -12 V 输入稳健性
  • 5 A 反向电流稳健性
  • 4.2 V 和 8 V UVLO 选项

产品

关于

EiceDRIVER™ 2EDN 系列采用 8 引脚 DSO、TSSOP、WSON 、以及小型多功能 6 引脚 SOT23 封装。 高输出电流能力加上有源输出电压钳位、严格的定时规格、以及优化的启动和关闭时间,使得 2EDN 系列成为许多快速开关应用的首选。

高效 EiceDRIVER™ 2EDN 栅极驱动器系列提供 5 ns 短压摆率和 10 ns 传播延迟精度,可快速开关 MOSFET 和 GaN 。 此外,所使用的 1 ns 通道间精度允许并行使用两个通道,并且具备的两个 5 A 通道可以实现多种应用选项。

EiceDRIVER™ 2EDN 系列提供一系列功率密度和系统稳健性功能,包括 4.2 V 和 8 V UVLO(欠压锁定)选项,可在异常条件下提供即时 MOSFET 保护。 2EDN 系列采用行业标准封装和引脚排列,因此可以轻松升级系统设计。

EiceDRIVER™ 2EDN 系列采用 8 引脚 DSO、TSSOP、WSON 、以及小型多功能 6 引脚 SOT23 封装。 高输出电流能力加上有源输出电压钳位、严格的定时规格、以及优化的启动和关闭时间,使得 2EDN 系列成为许多快速开关应用的首选。

高效 EiceDRIVER™ 2EDN 栅极驱动器系列提供 5 ns 短压摆率和 10 ns 传播延迟精度,可快速开关 MOSFET 和 GaN 。 此外,所使用的 1 ns 通道间精度允许并行使用两个通道,并且具备的两个 5 A 通道可以实现多种应用选项。

EiceDRIVER™ 2EDN 系列提供一系列功率密度和系统稳健性功能,包括 4.2 V 和 8 V UVLO(欠压锁定)选项,可在异常条件下提供即时 MOSFET 保护。 2EDN 系列采用行业标准封装和引脚排列,因此可以轻松升级系统设计。

文档

2EDN EiceDRIVER™ - 双通道低侧栅极驱动器 IC - 第一部分

英飞凌为 MOSFET 提供各种不同的 EiceDRIVER ™栅极驱动器。英飞凌的单通道 MOSFET 栅极驱动器 IC,是连接控制 IC、强大的 MOSFET 和 GaN 开关器件的重要链路。 还有 2EDN 2 通道 MOSFET 驱动器 IC 可用。具有真正差分输入的单通道非隔离栅极驱动器:1EDN TDIEiceDRIVER™ 2EDi 是双通道隔离式栅极驱动器 IC 产品系列,可在高性能CoolMOS™、CoolSiC™ 和 OptiMOS™ MOSFET 半桥中稳健地运行。

全新EiceDRIVER™ 2EDN Gen 2 系列包括强大的双通道低侧 4 A/5 A 栅极驱动器 IC。 其目标不仅在于快速功率 MOSFET,还在于宽带隙 (WBG) 开关器件。栅极驱动器使工程师能够以多种不同的封装尺寸满足其设计要求,确保在欠压锁定 (UVLO) 之前安全关闭,并实现更快的 UVLO 反应,以实现稳健的运行和抗噪性。

英飞凌的小信号产品组合提供 N 沟道和 P 沟道产品以及 -250 V 至 800 V 的耗尽型 MOSFET。它们有单一、双重和互补配置。这些设备针对 LED 驱动器、反极性保护和直流到直流转换器以及通用开关等应用进行了优化。