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概述

EiceDRIVER™ 1EDBx275F 是单通道隔离式栅极驱动器 IC 系列，用于驱动硅、碳化硅和氮化镓电源开关。 它们适用于各种应用，如服务器和电信中的 PFC 和 LLC，电动汽车充电站中的维也纳整流器，以及多电平光伏组串逆变器。 1EDBx275F 已通过 JEDEC 认证，适用于工业应用。

主要特性
  • 3 kVrms 电气隔离
  • 低阻抗
  • 独立的 source/sink 输出
  • 传播延迟精度 +6/-4 ns
  • 300 V/ns CMTI
  • 4 V、8 V、12 V 和 15 V UVLO 选项
  • 20 ns 输出钳位速度
应用
电信基础设施的 AC-DC 电源转换
服务器电源
光伏

产品

关于

具有输入至输出隔离的单通道栅极驱动器 IC

1EDB 栅极驱动器系列采用 8 引脚 DSO 封装。 为了简化应用设计任务，行业标准的引脚排列具有独立的 source 和 sink 输出引脚。 单通道隔离栅极驱动器 IC 解决了高功率因数控制器 (PFC) 和高压 DC-DC 级的 PCB 布局问题。 应用还包括多电平拓扑结构和工作电压 557 Vrms（污染等级 II）的用例。

具有高系统级效率的快速开关应用

EiceDRIVER™ 1EDB栅极驱动器系列具有+6 / -4 ns传播延迟精度，针对具有高系统级效率的快速开关应用进行了优化。 为了支持功能上保存的系统运行，共模瞬态抗扰度 (CMTI) 超过 300 V/nS。 典型的输出级钳位速度短至 20 ns，设计人员可以在四种不同的输出级欠压锁定（UVLO）变体（4 V、8 V、12 V和15 V）之间进行选择。

通过 1EDB 系列采用高压隔离和增强安全性

EiceDRIVER™ 1EDB 系列具有多种支持高压隔离和增强安全性的特性，包括低 MOSFET 开关损耗、低死区时间损耗和接地环路分离。 此外，栅极驱动器具有出色的开关噪声抑制能力，降低了离开安全操作区域 (SOA) 的风险，并且在自举半桥启动期间具有击穿保护。

具有输入至输出隔离的单通道栅极驱动器 IC

1EDB 栅极驱动器系列采用 8 引脚 DSO 封装。 为了简化应用设计任务，行业标准的引脚排列具有独立的 source 和 sink 输出引脚。 单通道隔离栅极驱动器 IC 解决了高功率因数控制器 (PFC) 和高压 DC-DC 级的 PCB 布局问题。 应用还包括多电平拓扑结构和工作电压 557 Vrms（污染等级 II）的用例。

具有高系统级效率的快速开关应用

EiceDRIVER™ 1EDB栅极驱动器系列具有+6 / -4 ns传播延迟精度，针对具有高系统级效率的快速开关应用进行了优化。 为了支持功能上保存的系统运行，共模瞬态抗扰度 (CMTI) 超过 300 V/nS。 典型的输出级钳位速度短至 20 ns，设计人员可以在四种不同的输出级欠压锁定（UVLO）变体（4 V、8 V、12 V和15 V）之间进行选择。

通过 1EDB 系列采用高压隔离和增强安全性

EiceDRIVER™ 1EDB 系列具有多种支持高压隔离和增强安全性的特性，包括低 MOSFET 开关损耗、低死区时间损耗和接地环路分离。 此外，栅极驱动器具有出色的开关噪声抑制能力，降低了离开安全操作区域 (SOA) 的风险，并且在自举半桥启动期间具有击穿保护。

文档

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新闻与亮点

EiceDRIVER™ 1EDB 系列 - 单通道隔离式栅极驱动器

我们的专家将为您概述最新的EiceDRIVER™栅极驱动器 IC。 1EDB 栅极驱动器系列采用 8 引脚 DSO 封装，并针对具有高系统级效率的快速切换应用进行了优化。

适用于 SiC MOSFET 和 GaN HEMT 的栅极驱动解决方案，包括可配置的隔离偏置电源

观看此视频，了解使用专用EiceDRIVER™单通道和双通道栅极驱动器 IC 驱动高压 SiC MOSFET 和 GaN HEMT 的最新解决方案，如EVAL_2EDB_HB_GAN 、 KIT_1EDB_AUX_GAN和KIT_1EDB_AUX_SIC演示板中所示。 这些小型演示套件具有可配置的隔离偏置电源，允许产生不同的正电压和负电压水平，电压调节率为 1%，功率水平高达 1.5 W。使用这些易于使用的构建块可以加快您的设计周期并缩短产品上市时间。

适用于快速开关应用的栅极驱动器解决方案

在本次网络研讨会中，我们将参观具有一系列共同优势的精选栅极驱动器 IC 产品组合。其中一个示例将说明如何使用具有真正差分输入 (TDI) 的非隔离栅极驱动器 IC 解决带有开尔文源功率 MOSFET 的升压 PFC、直流电机驱动器中的半桥和电池驱动应用的升降压级等应用中经常遇到的挑战。