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关于

关于TRENCHSTOP™高级绝缘

TRENCHSTOP™高级绝缘代表了绝缘封装中的尖端技术。高级绝缘材料与高级绝缘箔相比，热阻Rth(j-h)降低了35%，同时为芯片到散热器之间提供有效和可靠的热通路。

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关于600 V/1200 V TRENCHSTOP™ IGBT7

广泛的 600 V/1200 V TRENCHSTOP™ IGBT7 S7 产品组合是所有要求短路保护能力/坚固耐用的工业应用的最佳选择。IGBT7 具有出色的可控性和短路耐受性，在恶劣条件下(HV-H3TRB 和宇宙射线耐受性)具有出色的电气性能、更高的可控性、更简便的 EMI 设计和更高的可靠性，是 SC 器件中的标杆产品。

了解更多关于 TRENCHSTOP™ IGBT7 的信息
关于 S5 TRENCHSTOP™ 5 TO-247 4pin

采用 50 A 和 75 A S5 650 V TRENCHSTOP™5 IGBT，采用TO-247 4 pin 开尔文发射极封装，在 10 kHz 至 40 kHz 的中速开关频率下具有最高效率。

了解有关 TO-247 4pin封装的S5 TRENCHSTOP™ 5 的更多信息
关于 TO-247PLUS 3pin封装的1200 V IGBT

TO-247PLUS 封装的有效芯片面积更大， IGBT和反并联二极管电流都可以达到最高 75 A。TO-247PLUS 的功率密度更高，可用于减少并联、提高系统功率密度或系统输出功率。

详细了解1200 V IGBT 的 TO-247PLUS 3pin封装
关于 1200 V IGBT 的 TO-247PLUS 4pin封装

被称为开尔文发射极的第 4 个引脚绕过了栅极控制环路上的发射极引线电感，从而提高了 IGBT 的开关速度并降低了开关损耗。

详细了解 1200 V IGBT 的 TO-247PLUS 4pin

关于TRENCHSTOP™高级绝缘

TRENCHSTOP™高级绝缘代表了绝缘封装中的尖端技术。高级绝缘材料与高级绝缘箔相比，热阻Rth(j-h)降低了35%，同时为芯片到散热器之间提供有效和可靠的热通路。

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关于600 V/1200 V TRENCHSTOP™ IGBT7

广泛的 600 V/1200 V TRENCHSTOP™ IGBT7 S7 产品组合是所有要求短路保护能力/坚固耐用的工业应用的最佳选择。IGBT7 具有出色的可控性和短路耐受性，在恶劣条件下(HV-H3TRB 和宇宙射线耐受性)具有出色的电气性能、更高的可控性、更简便的 EMI 设计和更高的可靠性，是 SC 器件中的标杆产品。

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关于 S5 TRENCHSTOP™ 5 TO-247 4pin

采用 50 A 和 75 A S5 650 V TRENCHSTOP™5 IGBT，采用TO-247 4 pin 开尔文发射极封装，在 10 kHz 至 40 kHz 的中速开关频率下具有最高效率。

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关于 TO-247PLUS 3pin封装的1200 V IGBT

TO-247PLUS 封装的有效芯片面积更大， IGBT和反并联二极管电流都可以达到最高 75 A。TO-247PLUS 的功率密度更高，可用于减少并联、提高系统功率密度或系统输出功率。

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关于 1200 V IGBT 的 TO-247PLUS 4pin封装

被称为开尔文发射极的第 4 个引脚绕过了栅极控制环路上的发射极引线电感，从而提高了 IGBT 的开关速度并降低了开关损耗。

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