这是机器翻译的内容，点击这里了解更多

600 V 和 650 V CoolMOS™ C6/E6

CoolMOS™ C6 和 E6 可实现极低的导通和开关损耗

anchor

概述

CoolMOS™ C6/E6是第六代高压超结MOSFET。CoolMOS™ C6/E6系列将 Infineon 作为领先的SJ MOSFET供应商的经验与一流的创新相结合。这些器件提供了快速开关 SJ MOSFET 的所有优点，同时又不牺牲易用性。C6 器件已针对易用性进行了优化，E6 器件经过优化，可在 DCM 应用中实现最高效率。

关键特性

  • 轻松控制开关行为
  • 更高的部分负载效率（至 C3）
  • 体二极管耐用性高
  • 更高效、更紧凑

产品

关于

600 V 和 650 V CoolMOS™ C6/E6 代超结 MOSFET

CoolMOS™ C6/E6 系列将我们作为领先的 SJ MOSFET 供应商的经验与一流的创新相结合。由此产生的 C6/E6 器件提供了快速开关 SJ MOSFET 的所有优点，同时又不牺牲易用性。C6/E6 实现了极低的导通和开关损耗，可以使开关应用更高效、更紧凑、更轻、更冷。

SJ MOSFET 产品组合具有行业领先的创新

改进了 DPAK、TO-220 和 TO-247 中的 RDS(on) 设备。低 RDS(on) 可降低传导损耗、提高效率并增加功率密度。CoolMOS™ C6/E6是 Infineon 根据革命性的超结（SJ）原理设计的第六代高压功率MOSFET。

通过经济高效的解决方案实现更高的功率密度和可靠性

通过快速换向以及宽容的布局和栅极驱动要求，提高了功率密度。该产品组在设计时考虑了更高的可靠性，这些通用部件可用于软开关和硬开关拓扑。通过提高硬开关应用的效率，同时实现更好的轻负载效率，可以减少冷却工作。通过减少由PCB 布局和封装寄生效应可能产生的振铃，提高了易用性。

600 V 和 650 V CoolMOS™ C6/E6 代超结 MOSFET

CoolMOS™ C6/E6 系列将我们作为领先的 SJ MOSFET 供应商的经验与一流的创新相结合。由此产生的 C6/E6 器件提供了快速开关 SJ MOSFET 的所有优点，同时又不牺牲易用性。C6/E6 实现了极低的导通和开关损耗，可以使开关应用更高效、更紧凑、更轻、更冷。

SJ MOSFET 产品组合具有行业领先的创新

改进了 DPAK、TO-220 和 TO-247 中的 RDS(on) 设备。低 RDS(on) 可降低传导损耗、提高效率并增加功率密度。CoolMOS™ C6/E6是 Infineon 根据革命性的超结（SJ）原理设计的第六代高压功率MOSFET。

通过经济高效的解决方案实现更高的功率密度和可靠性

通过快速换向以及宽容的布局和栅极驱动要求，提高了功率密度。该产品组在设计时考虑了更高的可靠性，这些通用部件可用于软开关和硬开关拓扑。通过提高硬开关应用的效率，同时实现更好的轻负载效率，可以减少冷却工作。通过减少由PCB 布局和封装寄生效应可能产生的振铃，提高了易用性。

文档

文档

设计资源

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问 ", "labelEn" : "Ask the community " }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论 ", "labelEn" : "View all discussions " } ] }