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符合RoHS标准

5962R2020202VXC

英飞凌 QML-V 认证的 16Mb 快速异步 SRAM,配备 ECC,适用于抗辐射内存解决方案

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5962R2020202VXC
5962R2020202VXC

商品详情

  • Density
    16 MBit
  • Operating Temperature
    -55 °C to 125 °C
  • Operating Voltage
    2.2 V to 3.6 V
  • Interfaces
    Parallel
  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Organization (X x Y)
    2M x8
  • Qualification
    Military
  • Device weight
    3878.7 mg
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
封装名 FLATPACK-36 (001-67583)
包装尺寸 1
包装类型 CONTAINER
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
封装名 FLATPACK-36 (001-67583)
包装尺寸 1
包装类型 CONTAINER
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
英飞凌的 16Mb 异步 SRAM 系列采用英飞凌专利的 RADSTOPTM 技术设计,非常适合太空以及其他恶劣环境应用。16Mb 快速 SRAM 是一种高性能、低功耗 SRAM,具有 ECC,以 2 Mbit 乘以 8 位的方式组织。对于飞行设备,请订购 QML-V 零件编号 5962R2020202VXC。

特性

  • 16 Mb 密度,2M x 8
  • 嵌入式 ECC,用于单位纠错
  • 10ns 访问时间
  • 2.2V 至 3.6 V 工作电压范围
  • –55°C 至 +125°C 军用温度等级
  • 36 引脚陶瓷扁平封装 (CFP)
  • DLAM QML-V 认证 SMD 5962-20202,16Mb 快速异步 SRAM (2M x 8),(CYRS1069G30)
  • 辐射性能            
  • TID:200 Krad            
  • SEL:> 60 MeV.cm2/mg @ 95°C             
  • SEU:≤ 1 x 10-10 次扰乱/位天
  • 如需飞行设备,请订购 QML-V 部件号 5962R2020202VXC

产品优势

  • 英飞凌的抗辐射存储器已通过 QML-V 认证。
  • 满足极端环境下的可靠性和生命周期要求。
  • 增强整体系统计算限制。
  • 提供尺寸、重量和功率 (SWaP) 优势。
  • 更大设计灵活性。

应用

文档

设计资源

开发者社区

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