现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

BGA9H1BN6

适用于 4G 和 5G 应用的 BGA9H1BN6 低噪声放大器
数据手册
封装
每件.
有存货

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BGA9H1BN6
BGA9H1BN6
每件.
数据手册

商品详情

  • I
    2.2 mA to 5.5 mA
  • IIP3
    -7 dBm
  • NF
    0.6 dB
  • P-1dB (in)
    -16
  • VCC 操作
    1.1 V to 3.3 V
  • 增益
    20.3 dB
  • 频率
    2300 - 2700
推荐的
OPN
BGA9H1BN6E6327XTSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSNP-6
封装名 N/A
包装尺寸 12000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSNP-6
封装名 -
包装尺寸 12000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
BGA9H1BN6 专为 4G 和 5G 应用而设计，覆盖 2.5 至 2.7 GHz 之间的 3GPP 频段（适用于 n41 频段）。由于 LNA 的高增益和超低噪声系数性能，系统灵敏度与传统 LNA 相比得到显著提高。GPIO 接口提供对多种操作模式的直接控制。除了高增益模式和旁路模式外，还可以选择省电模式和高性能模式来增加系统动态。由于低功耗模式，电流消耗为 2.2 mA，工作电压为 1.2V，因此整体功耗极低。BGA9H1BN6 适合应用于可穿戴设备或智能手机等小型电池供电设备中。

特性

  • 功率增益：20.0 dB
  • 低噪声系数：0.5 dB
  • 低电流消耗：最小值。2.2 mA
  • 频率范围：2.5 至 2.7 GHz
  • 电源电压：1.1 至 3.3 V
  • GPIO 控制接口
  • 多态控制
  • 小尺寸：1.1 mm x 0.7 mm
  • 高 EMI 稳健性
  • 符合 RoHS 和 WEEE 标准的封装

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }