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BGSX44MA12

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封装

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BGSX44MA12
BGSX44MA12
数据手册

商品详情

  • Pmax max
    28 dBm
  • Supply Voltage
    1.65 - 1.95 V
  • Switch Type
    4P4T
  • Control Interface
    MIPI
  • Insertion Loss (@1GHz)
    0.45 dB
  • Isolation (@1GHz)
    46 dB
  • Frequency Range
    0.1 - 3.8 GHz
OPN
BGSX44MA12E6327XTSA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
ATSLP-12-12
封装名 N/A
包装尺寸 4500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
ATSLP-12-12
封装名 -
包装尺寸 4500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
BGSX44MA12 RF CMOS 开关专为 LTE 和 WCDMA 接收路径应用而设计。该 4P4T 具有低插入损耗和低谐波产生。 该开关通过 MIPI RFFE 控制器控制。片上控制器允许电源电压从 1.65 到 1.95 V。 BGSX44MA12 射频开关采用英飞凌专利的 MOS 技术制造，具有 GaAs 的性能、传统 CMOS 的经济性和集成性，包括固有的更高的 ESD 稳健性。该器件尺寸非常小，仅为 1.6 x 1.6 mm2，最大厚度为 0.6 mm。

特性

  • 高线性度 RF CMOS 4P4T 接收开关
  • 适用于多模 LTE 和 WCDMA 应用
  • 超低插入损耗和谐波产生
  • 0.1 至 3.8 GHz 覆盖范围
  • 高端口间隔离
  • 小封装共用 VDD 和 MIPI 电源
  • 集成 MIPI RFFE 接口，工作电压范围为 1.65 至 1.95 V
  • 外部 USID 选择引脚
  • 无铅无卤素封装 ATSLP-12-12，横向尺寸为
  • 1.6 mm x 1.6 mm，厚度为 0.6 mm
  • 高 EMI 稳健性
  • 符合 RoHS 和 WEEE 标准的封装
  

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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