不建议用于新设计
符合RoHS标准

BSZ039N06NS

采用 PQFN 3.3x3.3mm 封装的同类最佳 OptiMOS ™ 5 60V 功率 MOSFET，显著降低 RDS(on)，从而提高系统效率
数据手册
封装
每件.
有存货

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BSZ039N06NS
BSZ039N06NS
每件.
数据手册

商品详情

  • ID (@ TC=25°C) max
    102 A
  • ID (@25°C) max
    102 A
  • IDpuls max
    408 A
  • Ptot max
    69 W
  • QG (typ @10V)
    27 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    3.9 mΩ
  • VDS max
    60 V
  • VGS(th)
    2.8 V
  • Package
    PQFN 3.3 x 3.3 Fused Lead
  • Operating Temperature
    -55 °C to 150 °C
  • Pin Count
    8 Pins
  • Polarity
    N
  • Budgetary Price €/1k
    0.46
OPN
BSZ039N06NSATMA1
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-TSDSON-8
封装名 PQFN 3x3
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-TSDSON-8
封装名 PQFN 3x3
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
借助 BSZ039N06NS OptiMOS ™ 5 60V 功率 MOSFET，英飞凌扩展了其适用于 PQFN 3.3x3.3mm 封装的高性能 MOSFET 产品组合，从而提高了服务器电源、电信模块以及便携式充电器等目标应用的系统效率。从降低系统温度的角度来看，其好处是显而易见的，性能的提高使得热管理更加宽松，从而进一步缩小了系统尺寸。

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{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }