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BSZ039N06NS
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已停产
符合RoHS标准

BSZ039N06NS

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采用 PQFN 3.3x3.3mm 封装的同类最佳 OptiMOS ™ 5 60V 功率 MOSFET，显著降低 RDS(on)，从而提高系统效率
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封装
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BSZ039N06NS
BSZ039N06NS
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数据手册
  • 最高 ID (@ TC=25°C)
    102 A
  • 最高 ID (@25°C)
    102 A
  • 最高 IDpuls
    408 A
  • 最高 Ptot
    69 W
  • QG (typ @10V)
    27 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    3.9 mΩ
  • 最高 VDS
    60 V
  • VGS(th)
    2.8 V
  • 封装
    PQFN 3.3 x 3.3 Fused Lead
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 150 °C
  • 引脚数量
    8 Pins
  • 极性
    N
  • 预算价格€/1k
    0.46
OPN
BSZ039N06NSATMA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TSDSON-8
封装名 PQFN 3x3
封装尺寸 5000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TSDSON-8
封装名 PQFN 3x3
封装尺寸 5000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
借助 BSZ039N06NS OptiMOS ™ 5 60V 功率 MOSFET，英飞凌扩展了其适用于 PQFN 3.3x3.3mm 封装的高性能 MOSFET 产品组合，从而提高了服务器电源、电信模块以及便携式充电器等目标应用的系统效率。从降低系统温度的角度来看，其好处是显而易见的，性能的提高使得热管理更加宽松，从而进一步缩小了系统尺寸。
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