现货，推荐
符合RoHS标准

CY15B004J-SXET

数据手册
封装

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CY15B004J-SXET
CY15B004J-SXET
数据手册

商品详情

  • 密度
    4 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度
    -40 °C to 125 °C
  • 工作电压
    3 V to 3.6 V
  • 工作电压 (VCCQ)
    3 V to 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    I2C
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 组织(X x Y)
    0.5Kb x 8
  • 认证标准
    Automotive(E)
  • 速度
    0 ns
  • 频率
    3.4 MHz
推荐的
OPN
CY15B004J-SXET
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY15B004J-SXET是一款4 Kbit（512 × 8）汽车级串行F-RAM，采用I2C接口，支持10万亿（10¹³）次高耐久读写和121年数据保存。工作电压3.0 V至3.6 V，温度–40°C至+125°C，符合AEC-Q100 Grade 1，8引脚SOIC封装。最高1 MHz I2C速率、NoDelay™写入和低功耗，适用于汽车数据记录、工业控制及频繁非易失存储写入。

特性

  • 4-Kbit（512×8）F-RAM存储器
  • 10^13次读写耐久性
  • 85°C下121年数据保持
  • NoDelay™瞬时写入技术
  • I2C接口最高1 MHz
  • 低功耗：120 μA工作，20 μA待机
  • 宽电压：3.0 V至3.6 V
  • –40°C至+125°C工作范围
  • 直接替换I2C EEPROM
  • 支持100 kHz、400 kHz、1 MHz I2C
  • 输出引脚电容最大8 pF
  • 输入引脚电容最大6 pF

产品优势

  • 关键数据可靠非易失存储
  • 支持频繁数据记录无磨损
  • 瞬时写入消除数据丢失风险
  • 直接替换简化升级
  • 低功耗降低系统能耗
  • 适用严苛汽车环境
  • 无写延迟提升系统速度
  • 宽电压简化电源设计
  • 长期保持确保数据完整
  • 兼容传统与高速I2C
  • 低电容支持高速总线
  • 高耐久性降低维护成本

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }