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CY15B016Q-SXAT
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无铅

CY15B016Q-SXAT

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CY15B016Q-SXAT
CY15B016Q-SXAT
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商品详情

  • Frequency
    16 MHz
  • 密度
    16 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    2.7 V 至 3.65 V
  • 工作电压 范围
    3 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    SPI
  • 组织(X x Y)
    2Kb x 8
  • 质量等级
    Automotive(A)
  • 速度
    0 ns

OPN
CY15B016Q-SXAT
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
TH
晶圆产地
US
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
TH
晶圆产地
US
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CY15B016Q-SXAT是一款16 Kbit（2K × 8）汽车级串行F-RAM，提供100万亿（10^14）次读写循环和在65°C下151年数据保存。工作电压为2.7 V至3.6 V，支持最高20 MHz的SPI接口，并具备硬件和软件写保护。低活动电流和待机电流，适用于汽车和工业系统中频繁、快速写入的应用。8引脚SOIC封装符合RoHS标准，支持–40°C至+85°C。

特性

  • 16-Kbit F-RAM，2K × 8结构
  • 100万亿次读写耐久性
  • 65°C下151年数据保持
  • NoDelay™总线速度写入
  • SPI接口最高20 MHz
  • 支持SPI模式0和3
  • 硬件/软件写保护
  • 1 MHz时200 μA工作电流
  • 典型待机电流3 μA
  • 低压工作：VDD 2.7-3.6 V
  • 工作温度–40°C至+85°C
  • HOLD引脚支持操作挂起

产品优势

  • 关键数据可靠非易失存储
  • 无写入延迟实现高速操作
  • 适合频繁快速数据记录
  • 数据数十年无需刷新保存
  • 可直接替换串行闪存/EEPROM
  • 降低掉电数据丢失风险
  • 低功耗延长电池/系统寿命
  • 灵活适配多种SPI系统
  • 写保护保障数据完整性
  • 适应恶劣温度环境
  • HOLD引脚便于系统多任务
  • SPI标准接口简化集成

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区