CY15B016Q-SXE
现货，推荐
符合RoHS标准

CY15B016Q-SXE

数据手册
封装

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CY15B016Q-SXE
CY15B016Q-SXE
数据手册
  • 密度
    16 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 125 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    2.7 V 至 3.65 V
  • 工作电压 范围
    3 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    SPI
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 组织(X x Y)
    2Kb x 8
  • 认证标准
    Automotive(E)
  • 速度
    0 ns
  • 频率
    16 MHz
推荐的
OPN
CY15B016Q-SXE
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
封装尺寸 485
封装类型 TUBE
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
封装尺寸 485
封装类型 TUBE
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY15B016Q-SXE是一款16-Kbit汽车级铁电RAM（F-RAM），具备10万亿次读写耐久性和在85°C下121年数据保持能力。工作电压为3.0 V至3.6 V，支持最高16 MHz的SPI（模式0和3）。NoDelay™写入、硬件和软件写保护以及低功耗确保可靠性。8引脚SOIC封装，符合AEC-Q100 Grade 1和RoHS标准，适用于频繁写入的汽车和工业应用。

特性

  • 16-Kbit F-RAM，2K × 8结构
  • 10万亿次读写耐久性
  • 85°C下121年数据保持
  • NoDelay™写入，数据即时存储
  • SPI接口最高16 MHz
  • 支持SPI模式0和3
  • 硬件/软件写保护
  • 1 MHz时300 μA工作电流
  • 典型20 μA待机电流
  • 3.0 V至3.6 V低压运行
  • –40°C至+125°C工作范围
  • 输出数据有效时间最大25 ns

产品优势

  • 关键数据可靠非易失存储
  • 消除写入延迟，数据实时更新
  • 支持频繁快速写入
  • 长期数据保存减少维护
  • 高速SPI实现快速访问
  • 可直接替换串行闪存/EEPROM
  • 多重保护防止数据丢失
  • 低功耗节能
  • 适应恶劣温度环境
  • SPI标准接口集成简便
  • 全寿命性能一致
  • 高速时序支持快系统

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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