现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY15B064J-SXAT

数据手册
封装

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CY15B064J-SXAT
CY15B064J-SXAT
数据手册

商品详情

  • 密度
    64 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    2.7 V 至 3.65 V
  • 工作电压 范围
    3 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    I2C
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 组织(X x Y)
    8Kb x 8
  • 认证标准
    Automotive(A)
  • 速度
    0 ns
  • 频率
    1 MHz
推荐的
OPN
CY15B064J-SXAT
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY15B064J-SXAT是一款64 Kbit（8K × 8）汽车级串行F-RAM存储器，采用I2C接口，适用于高耐久性非易失性存储需求。支持100万亿次读写循环，在65℃下数据保持151年。工作电压2.7 V至3.65 V，温度-40℃至+85℃，具备NoDelay™总线速度写入、低功耗，可直接替换I2C EEPROM。适用于频繁数据记录及关键汽车、工业系统。

特性

  • 64 Kbit非易失性F-RAM，8K×8结构
  • 100万亿次读写耐久性
  • 65°C下151年数据保持
  • NoDelay™瞬时写入技术
  • I2C接口最高1 MHz
  • 100 μA低工作电流（100 kHz）
  • 3 μA低待机电流（典型值）
  • 宽VDD：2.7 V至3.65 V
  • 工作温度：–40°C至+85°C
  • 写保护引脚（WP）
  • 施密特触发器输入抗干扰
  • ESD防护：2 kV HBM，500 V CDM

产品优势

  • 高频写入数据依然可靠
  • 151年数据保持，适合长期存储
  • 无写入延迟，系统响应快
  • 可直接替换串行EEPROM
  • 低功耗延长电池寿命
  • 宽电压适应多样设计
  • 可在严苛温度下工作
  • 写保护防止误写
  • 抗干扰输入提升可靠性
  • ESD防护提升耐用性

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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