CY15B064Q-SXE
现货，推荐
符合RoHS标准

CY15B064Q-SXE

高密度 64kBit SPI FRAM 模块 | 16MHz，-40 至 125°C，纯锡涂层
数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

CY15B064Q-SXE
CY15B064Q-SXE
数据手册
  • 密度
    64 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 125 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    3 V 至 3.6 V
  • 工作电压 范围
    3 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    SPI
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 组织(X x Y)
    8Kb x 8
  • 认证标准
    Automotive(E)
  • 速度
    0 ns
  • 频率
    16 MHz
推荐的
OPN
CY15B064Q-SXE
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
封装尺寸 970
封装类型 TUBE
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
封装尺寸 970
封装类型 TUBE
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY15B064Q-SXE是一款64 Kbit（8K × 8）汽车级串行F-RAM，集高耐久非易失性存储与高达16 MHz的SPI接口于一体。支持10万亿次读写、85°C下121年数据保存，工作电压3.0 V至3.6 V，温度范围-40°C至+125°C。1 MHz时工作电流300 μA，85°C待机电流6 μA，具备高级写保护、AEC-Q100 Grade 1和RoHS认证，8引脚SOIC封装，适用于严苛环境下频繁数据记录。

特性

  • 64 Kbit F-RAM，8K × 8结构
  • 10万亿次读写耐久性
  • 121年数据保存（85°C）
  • NoDelay™总线级写入
  • SPI接口最高16 MHz
  • 硬件/软件写保护
  • 1 MHz时300 μA工作电流
  • 85°C时6 μA待机电流
  • 3.0 V至3.6 V电源电压
  • –40°C至+125°C工作范围
  • CS/SCK引脚输入迟滞
  • 输出数据有效时间最大25 ns

产品优势

  • 10万亿次循环确保数据可靠
  • 121年保存防止数据丢失
  • 即时写入提升系统响应
  • SPI 16 MHz实现高速传输
  • 写保护增强数据安全
  • 低工作电流降低功耗
  • 6 μA待机延长电池寿命
  • 宽温区适应恶劣环境
  • 输入迟滞保证稳定运行
  • 快速输出数据便于访问
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }