现货，推荐
符合RoHS标准

CY15B064Q-SXE

高密度 64kBit SPI FRAM 模块 | 16MHz，-40 至 125°C，纯锡涂层
数据手册
封装
每件.
有存货

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CY15B064Q-SXE
CY15B064Q-SXE
每件.
数据手册

商品详情

  • Density
    64 kBit
  • Peak Reflow Temp
    260 °C
  • Operating Temperature
    -40 °C to 125 °C
  • Operating Voltage (VCCQ)
    3 V to 3.6 V
  • Operating Voltage
    3 V to 3.6 V
  • Lead Ball Finish
    Pure Sn
  • Interfaces
    SPI
  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Organization (X x Y)
    8Kb x 8
  • Qualification
    Automotive(E)
  • Speed
    0 ns
  • Frequency
    16 MHz
受到推崇的
OPN
CY15B064Q-SXE
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
包装尺寸 970
包装类型 TUBE
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
包装尺寸 970
包装类型 TUBE
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
CY15B064Q-SXE 是一款采用先进铁电技术的 64 Kbit 非易失性存储器。它将非易失性与类似 RAM 的读写操作相结合，确保可靠地保存 121 年的数据。这消除了其他非易失性存储器中存在的复杂性、开销和可靠性问题。它支持以总线速度进行无延迟写入操作，并提供出色的写入耐久性，支持 1013 读/写周期 - 比 EEPROM 多 1000 万倍。

特性

  • 64 Kbit F-RAM 逻辑组织为 8K × 8
  • 高耐用性，10 万亿 (1013) 次读/写
  • NoDelay ™写入
  • 先进的高可靠性铁电工艺
  • 非常快速的串行外设接口 (SPI)
  • 完善的写保护方案
  • 低功耗
  • 低电压操作
  • 8 引脚小外形集成电路 (SOIC) 封装
  • 符合 AEC Q100 1 级标准

产品优势

  • 高速写入能力
  • 汽车 E 温度：-40°C 至 +125°C

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

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