CY15B064Q-SXET
现货，推荐
符合RoHS标准

CY15B064Q-SXET

适用于汽车应用且具有扩展温度范围的 64 Kbit SPI F-RAM
数据手册
封装

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CY15B064Q-SXET
CY15B064Q-SXET
数据手册
  • 密度
    64 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 125 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    3 V 至 3.6 V
  • 工作电压 范围
    3 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    SPI
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 组织(X x Y)
    8Kb x 8
  • 认证标准
    Automotive(E)
  • 速度
    0 ns
  • 频率
    16 MHz
推荐的
OPN
CY15B064Q-SXET
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY15B064Q-SXET是一款64 Kbit（8K × 8）汽车级铁电RAM（F-RAM），采用高速SPI接口（最高16 MHz），提供非易失性存储，支持10万亿（1013）次读写循环和85°C下121年数据保存。工作电压3.0 V至3.6 V，温度范围-40°C至+125°C，符合AEC-Q100 Grade 1和RoHS标准。具备高级写保护和低功耗，适用于频繁写入、高可靠性汽车与工业应用。

特性

  • 64 Kbit F-RAM，8K × 8结构
  • 10万亿次读写耐久性
  • 121年数据保存（85°C）
  • NoDelay™总线级写入
  • SPI接口最高16 MHz
  • 硬件/软件写保护
  • 1 MHz时300 μA工作电流
  • 85°C时6 μA待机电流
  • 3.0 V至3.6 V电源电压
  • –40°C至+125°C工作范围
  • CS/SCK引脚输入迟滞
  • 输出数据有效时间最大25 ns

产品优势

  • 10万亿次循环确保数据可靠
  • 121年保存防止数据丢失
  • 即时写入提升系统响应
  • SPI 16 MHz实现高速传输
  • 写保护增强数据安全
  • 低工作电流降低功耗
  • 6 μA待机延长电池寿命
  • 宽温区适应恶劣环境
  • 输入迟滞保证稳定运行
  • 快速输出数据便于访问
文档

设计资源

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