CY15E064Q-SXE
现货，推荐
符合RoHS标准

CY15E064Q-SXE

数据手册
封装

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CY15E064Q-SXE
CY15E064Q-SXE
数据手册
  • 密度
    64 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 125 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    4.5 V 至 5.5 V
  • 工作电压 范围
    4.5 V 至 5.5 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    SPI
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 组织(X x Y)
    8Kb x 8
  • 认证标准
    Automotive(E)
  • 速度
    0 ns
  • 频率
    16 MHz
推荐的
OPN
CY15E064Q-SXE
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
封装尺寸 485
封装类型 TUBE
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
封装尺寸 485
封装类型 TUBE
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY15E064Q-SXE是一款64 Kbit汽车级铁电RAM（F-RAM），采用高速SPI接口，最高支持16 MHz时钟频率，实现NoDelay™写入。具备10万亿次读写循环、121年数据保持（85°C），工作电压4.5 V至5.5 V，温度范围-40°C至125°C。符合AEC-Q100 Grade 1和RoHS标准，具备硬件/软件写保护，85°C待机电流仅10 μA。适用于高可靠性汽车数据存储应用。

特性

  • 64 Kbit F-RAM，8K × 8结构
  • 10¹³次读写耐久性
  • 85°C下121年数据保存
  • NoDelay™总线速度写入
  • SPI接口最高16 MHz
  • 硬件/软件写保护
  • 1 MHz时300 μA工作电流
  • 85°C下10 μA待机电流
  • VDD工作电压4.5–5.5 V
  • 工作温度–40°C至+125°C
  • 直接替换串行闪存/EEPROM
  • 支持SPI模式0和3

产品优势

  • 121年可靠数据存储
  • 10¹³次循环支持频繁记录
  • 即时写入防止数据丢失
  • 16 MHz SPI实现快速传输
  • 低功耗提升系统效率
  • 宽电压兼容多平台
  • –40°C至+125°C环境运行
  • 直接替换简化升级
  • 硬件/软件保护数据安全
  • 无写入延迟提升实时性
  • 高耐久降低维护成本
  • 灵活SPI模式易集成
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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