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CY15V108QI-20LPXIT

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商品详情

  • 密度
    8192 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    1.71 V 至 1.89 V
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    1.71 V 至 1.89 V
  • 引线球表面
    Ni/Pd/Au
  • 接口
    SPI
  • 系列
    Excelon™
  • 组织(X x Y)
    1Mb x 8
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    0 ns
  • 频率
    20 MHz
OPN
CY15V108QI-20LPXIT
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
封装名 GQFN-8 (002-18131)
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
封装名 GQFN-8 (002-18131)
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY15V108QI-20LPXIT是一款8 Mbit EXCELON™ LP铁电随机存取存储器(F-RAM),采用1024K × 8结构,具备10^15次读写耐久性和151年数据保存能力。工作电压为1.71 V至1.89 V,支持–40°C至+85°C工业级温度。支持高达20 MHz的高速SPI接口,具备总线速度下的瞬时非易失性写入和高级写保护,适用于对可靠性和耐久性要求极高的工业、数据记录和控制等应用。

特性

  • 8Mb F-RAM,1024K × 8结构
  • 10^15次超高耐久性
  • 151年数据保存(60°C)
  • 即时非易失性写入
  • SPI接口最高20 MHz
  • 支持SPI模式0和3
  • 硬件/软件写保护
  • 唯一ID和序列号
  • 256字节特殊区,耐回流焊
  • 有源电流低至1.3 mA(20 MHz)
  • 深度掉电0.90 µA(典型)
  • 休眠模式0.1 µA(典型)

产品优势

  • 频繁快速数据记录更可靠
  • 无写入延迟,数据即刻保存
  • 151年数据不丢失
  • 高耐久性降低更换成本
  • 高速SPI提升系统性能
  • SPI模式集成灵活
  • 多重保护保障安全
  • 唯一ID便于追踪
  • 特殊区耐焊接
  • 低功耗延长电池寿命
  • 深度休眠降低待机能耗
  • 休眠模式极致省电

应用

文档

设计资源

开发者社区

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