现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

FM24C04B-GTR

数据手册
封装
每件.
有存货

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FM24C04B-GTR
FM24C04B-GTR
每件.
数据手册

商品详情

  • 密度
    4 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    4.5 V 至 5.5 V
  • 工作电压 范围
    4.5 V 至 5.5 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    I2C
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 组织(X x Y)
    0.5Kb x 8
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    0 ns
  • 频率
    1 MHz
推荐的
OPN
FM24C04B-GTR
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
FM24C04B-GTR是一款4 Kbit（512 × 8）串行铁电RAM（F-RAM），采用I2C接口，支持100万亿次读写循环和151年数据保存。工作电压4.5 V至5.5 V，时钟频率最高1 MHz，100 kHz下最大工作电流100 μA，低功耗。符合AEC-Q100 Grade 3和RoHS标准，适用于工业控制、数据记录及频繁非易失性存储应用。

特性

  • 4-Kbit (512×8)非易失性F-RAM
  • 100万亿次读写耐久
  • 65°C下151年数据保存
  • NoDelay™瞬时写入
  • I2C接口最高1 MHz
  • 100 μA低工作电流(100 kHz)
  • 4 μA典型待机电流
  • VDD工作:4.5 V至5.5 V
  • 工业温度:–40°C至+85°C
  • 写保护引脚
  • 施密特触发器抗噪输入
  • ESD保护:2 kV HBM,500 V CDM

产品优势

  • 实现频繁快速数据记录
  • 消除写入延迟提升速度
  • 长期可靠数据存储
  • 低功耗延长电池寿命
  • 可直接替换I2C EEPROM
  • 适用严苛工业环境
  • 写保护引脚保障数据安全
  • ESD防护降低损坏风险
  • 抗噪输入提升稳定性
  • 写后无需轮询
  • 支持多种I2C速率
  • 高耐久降低维护成本

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }