现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

FM25640B-G

数据手册
封装
每件.
有存货

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FM25640B-G
FM25640B-G
每件.
数据手册

商品详情

  • 密度
    64 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    4.5 V 至 5.5 V
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    4.5 V 至 5.5 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    SPI
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 组织(X x Y)
    8Kb x 8
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    0 ns
  • 频率
    20 MHz
推荐的
OPN
FM25640B-G
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
包装尺寸 1940
包装类型 TUBE
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
包装尺寸 1940
包装类型 TUBE
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
FM25640B-G是一款64 Kbit（8K × 8）串行F-RAM，采用SPI接口，工作电压4.5 V至5.5 V，温度范围–40°C至+85°C。具备100万亿次读写耐久性、65°C下151年数据保持力和NoDelay™即时写入，支持高达20 MHz。集成硬件和软件写保护，低工作及待机电流，8引脚SOIC封装，适用于数据记录、工业控制及频繁非易失性写入。

特性

  • 64 Kbit铁电RAM，8K × 8结构
  • 100万亿次读写耐久性
  • 65°C下151年数据保存
  • NoDelay™写入，数据即时存储
  • SPI总线频率高达20 MHz
  • 支持SPI模式0和3
  • 硬件/软件写保护
  • 1 MHz下250 µA工作电流
  • 典型待机电流4 µA
  • VDD工作电压4.5 V至5.5 V
  • 输入迟滞提升抗干扰
  • 工业级温度–40°C至+85°C

产品优势

  • 关键数据可靠非易失存储
  • 消除写入延迟，加快系统响应
  • 适合频繁快速数据记录
  • 断电时防止数据丢失
  • 可直接替换串行EEPROM/闪存
  • 低功耗延长电池/系统寿命
  • 兼容多种SPI主控
  • 写保护防止误写
  • 适应恶劣工业环境
  • 抗干扰提升信号可靠性
  • 长期保存减少维护
  • 标准SPI易于集成

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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