FM25V01A-G
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

FM25V01A-G

数据手册
封装

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FM25V01A-G
FM25V01A-G
数据手册

商品详情

  • 密度
    128 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    2 V 至 3.6 V
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    SPI
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 组织(X x Y)
    16Kb x 8
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    0 ns
  • 频率
    40 MHz
推荐的
OPN
FM25V01A-G
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
封装尺寸 970
封装类型 TUBE
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
封装尺寸 970
封装类型 TUBE
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
FM25V01A-G是一款128 Kbit（16K × 8）串行铁电RAM（F-RAM），支持高达40 MHz的SPI接口。具备1e14次读写耐久性、151年数据保持和NoDelay™即时写入。工作电压2.0 V至3.6 V，温度范围-40°C至+85°C，具有2.5 mA有源、150 μA待机和8 μA休眠电流。集成高级写保护和RoHS兼容，适用于数据记录和需频繁快速非易失性写入的工业控制。

特性

  • 128 Kbit非易失性F-RAM，16K×8结构
  • 100万亿次读写耐久性
  • 65°C下151年数据保持
  • NoDelay™写入，数据即时存储
  • SPI总线最高40 MHz
  • 支持SPI模式0和3
  • 硬件/软件写保护
  • 2.5 mA工作，150 μA待机，8 μA休眠
  • 低电压：2.0 V至3.6 V
  • 工业温度：–40°C至+85°C
  • 唯一设备ID便于识别
  • 总线速度下快速读写

产品优势

  • 频繁可靠数据记录
  • 即时写入防止数据丢失
  • 设计简化，可替代EEPROM/闪存
  • 降低工作和待机功耗
  • 低电压适合电池供电
  • 工业环境下可靠运行
  • 多重写保护保障数据安全
  • 快速SPI提升系统性能
  • 无闪存/EEPROM磨损问题
  • 唯一ID便于设备追踪
  • 无写入延迟支持实时应用
  • 长期数据保持减少维护
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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