FM25V02A-G
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

FM25V02A-G

高密度 256kBit SPI FRAM 模块 | 40MHz，-40 至 85°C，纯锡涂层
数据手册
封装

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FM25V02A-G
FM25V02A-G
数据手册
  • 密度
    256 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    2 V 至 3.6 V
  • 工作电压 范围
    2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    SPI
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 组织(X x Y)
    32Kb x 8
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    0 ns
  • 频率
    40 MHz
推荐的
OPN
FM25V02A-G
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
封装尺寸 1940
封装类型 TUBE
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
封装尺寸 1940
封装类型 TUBE
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
FM25V02A-G是一款256-Kbit（32K × 8）串行铁电RAM（F-RAM），具备高达40 MHz的SPI接口。其读写循环高达100万亿次（1014），在65°C下数据保持长达151年。工作电压范围为2.0 V至3.6 V，温度范围-40°C至+85°C，写入即时保存，具有先进保护和低功耗，适用于工业和控制等频繁写入场景。提供8引脚SOIC和DFN封装，符合RoHS标准。

特性

  • 256 Kbit非易失性F-RAM存储器
  • 100万亿次读写耐久性
  • 65°C下151年数据保持
  • NoDelay™总线级即时写入
  • SPI时钟频率高达40 MHz
  • 支持SPI模式0和模式3
  • 硬件写保护（WP引脚）
  • 软件写禁止指令
  • 1/4、1/2或全阵列块保护
  • 设备ID含厂商和产品信息
  • 低工作（2.5 mA）、待机（150 μA）、休眠（8 μA）电流
  • 2.0 V至3.6 V电源电压

产品优势

  • 断电后数据依然可靠
  • 可承受频繁快速写入
  • 151年数据保存保障
  • 无写入延迟，系统响应快
  • 40 MHz SPI实现高速访问
  • 灵活接口便于集成
  • 防止误写保护数据
  • 软硬件双重数据安全
  • 关键数据分区保护
  • 设备可追溯便于管理
  • 低功耗延长电池寿命
  • 宽电压适用多系统
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }