现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

FM25VN10-GTR

数据手册
封装
每件.
有存货

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FM25VN10-GTR
FM25VN10-GTR
每件.
数据手册

商品详情

  • 密度
    1 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    2 V 至 3.6 V
  • 工作电压 范围
    2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    SPI
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 组织(X x Y)
    128Kb x 8
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    0 ns
  • 频率
    40 MHz
推荐的
OPN
FM25VN10-GTR
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
FM25VN10-GTR是一款1-Mbit（128K × 8）串行F-RAM，采用SPI接口，适用于频繁和快速写入的高耐久性非易失性存储。工作电压2.0 V至3.6 V，支持最高40 MHz时钟，保证1e14次读写循环和65°C下151年数据保持。具备NoDelay™写入、低工作/休眠电流、–40°C至+85°C工业级温度范围，以及出厂编程的8字节唯一序列号，便于安全识别。

特性

  • 1-Mbit非易失性F-RAM，128K×8结构
  • 100万亿次读写耐久性
  • 65°C下151年数据保存
  • NoDelay™总线速度写入
  • SPI接口最高40 MHz
  • 低功耗：0.3 mA工作，5 μA休眠
  • VDD工作范围2.0 V至3.6 V
  • 工业温度–40°C至+85°C
  • 硬件与软件写保护
  • 支持SPI模式0和3
  • 设备及唯一序列号
  • 可直接替换串行闪存/EEPROM

产品优势

  • 消除写入延迟导致数据丢失
  • 适合频繁快速数据记录
  • 65°C下151年可靠保存
  • 实现高速存储访问
  • 降低系统功耗
  • 适用低电压设计
  • 工业环境下高可靠性
  • 防止误写保护数据
  • SPI标准简易集成
  • 设备追溯与安全
  • 无需固件更改直接替换
  • 写入耐久优于闪存/EEPROM

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }