不建议用于新设计
符合RoHS标准
无铅

GS-065-011-6-LR-TR

CoolGaN ™晶体管 700 V G4，实现极致效率和可靠性
数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

GS-065-011-6-LR-TR
GS-065-011-6-LR-TR
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    12.2 A
  • IDpuls (@25°C) max
    20 A
  • QG
    2.2 nC
  • RDS (on) max
    180 mΩ
  • RDS (on) (typ)
    125 mΩ
  • VDS max
    700 V
  • Mounting
    SMT
  • Generation
    G4
  • Qualification
    Industrial
OPN
GS0650116LRTRXUMA1
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-VSON-8
封装名 PDFN 8x6
包装尺寸 3000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-VSON-8
封装名 PDFN 8x6
包装尺寸 3000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
GS-065-011-6-LR 是一种增强型 GaN-on-Si 功率晶体管，具有允许高电流、高击穿电压和高开关频率的特性。它采用底部冷却的 PDFN 封装，具有非常低的结到外壳热阻，使其成为要求严格的高功率应用的理想选择。这些特性结合在一起，确保了电源切换的极高效率。

特性

  • 700 V e-mode 功率晶体管
  • 850 V 瞬态漏源电压
  • 底部冷却，8x8 mm PDFN 封装
  • RDS(on) = 125 mΩ
  • IDSmax,DC = 12.2A / IDSmax,Pulse = 20 A
  • 超低 FOM
  • 栅极驱动要求 (0 V 至 6 V)
  • 高开关频率 (> 1 MHz)
  • 快速、可控的下降和上升时间
  • 反向传导能力
  • 零反向恢复损耗

产品优势

  • 支持高工作频率
  • 实现最高系统效率
  • 实现超高功率密度设计
  • 支持节省 BOM 成本

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }