不建议用于新设计
符合RoHS标准
无铅

GS-065-011-6-LR-TR

CoolGaN ™晶体管 700 V G4,实现极致效率和可靠性

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GS-065-011-6-LR-TR
GS-065-011-6-LR-TR

商品详情

  • ID (@25°C) max
    12.2 A
  • IDpuls (@25°C) max
    20 A
  • QG
    2.2 nC
  • RDS (on) max
    180 mΩ
  • RDS (on) (typ)
    125 mΩ
  • VDS max
    700 V
  • Mounting
    SMT
  • Generation
    G4
  • Qualification
    Industrial
OPN
GS0650116LRTRXUMA1
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
封装名 PDFN 8x6
包装尺寸 3000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
封装名 PDFN 8x6
包装尺寸 3000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
GS-065-011-6-LR 是一种增强型 GaN-on-Si 功率晶体管,具有允许高电流、高击穿电压和高开关频率的特性。它采用底部冷却的 PDFN 封装,具有非常低的结到外壳热阻,使其成为要求严格的高功率应用的理想选择。这些特性结合在一起,确保了电源切换的极高效率。

特性

  • 700 V e-mode 功率晶体管
  • 850 V 瞬态漏源电压
  • 底部冷却,8x8 mm PDFN 封装
  • RDS(on) = 125 mΩ
  • IDSmax,DC = 12.2A / IDSmax,Pulse = 20 A
  • 超低 FOM
  • 栅极驱动要求 (0 V 至 6 V)
  • 高开关频率 (> 1 MHz)
  • 快速、可控的下降和上升时间
  • 反向传导能力
  • 零反向恢复损耗

产品优势

  • 支持高工作频率
  • 实现最高系统效率
  • 实现超高功率密度设计
  • 支持节省 BOM 成本

文档

设计资源

开发者社区

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