新品
现货，推荐
符合RoHS标准

IAUTN15S6N025G

新品
150V、N 沟道、最大 2.5 mΩ、车规 MOSFET、TOLG (10x12)、 OptiMOS™ 6
数据手册
封装
每件.
有存货

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IAUTN15S6N025G
IAUTN15S6N025G
每件.
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商品详情

  • ID (@25°C) max
    245 A
  • IDpuls max
    948 A
  • QG (typ @10V)
    107 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    2.5 mΩ
  • RthJC max
    0.42 K/W
  • VDS max
    150 V
  • VGS(th)
    3.5 V
  • 封装
    TOLG (PG-HSOG-8-1)
  • 工作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 技术
    OptiMOS™-6
  • 推出年份
    2025
  • 极性
    N
  • 认证标准
    Automotive
推荐的
OPN
IAUTN15S6N025GATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-HSOG-8
封装名 TOLG
包装尺寸 1800
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-HSOG-8
封装名 TOLG
包装尺寸 1800
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
IAUTN15S6N025G 采用英飞凌先进的功率半导体技术OptiMOS™ 6 150V 技术。它采用英飞凌多功能、高可靠、高电流 TOLT 10x15 mm² SMD 封装，专为满足严苛的汽车应用所需的高性能、高质量和可靠性而设计。主要特征包括RoHS合规性、MSL1 等级、超越 AEC-Q101 的汽车质量、PPAP 能力以及以卷带包装格式交付。

特性

  • 击穿电压150V
  • 低RDS(on)→最低通态损耗
  • N沟道增强型模式-Normal Mosfet
  • VGS(th)分布紧密
  • 175°C工作温度
  • 高雪崩能力

产品优势

  • 高功率密度
  • 目前业界最低的RDS(on)
  • 高ID，适用于高功率应用
  • 高开关性能

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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