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IGT60R042D1

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600 V CoolGaN ™ e-mode 功率晶体管，适用于底部冷却功率封装中的高功率应用
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IGT60R042D1
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商品详情

  • ID (@ TA=25°C) max
    23 A
  • IDpuls (@25°C) max
    90 A
  • QG
    8.8 nC
  • RDS (on) (typ)
    35 mΩ
  • VDS max
    600 V
  • Mounting
    SMT
  • Generation
    ≤ G3
OPN
IGT60R042D1ATMA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-HSOF-8
封装名 N/A
包装尺寸 2000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-HSOF-8
封装名 -
包装尺寸 2000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IGT60R042D1 可实现更紧凑的拓扑结构，并在更高频率运行下提高效率。它通过了广泛的 GaN 特定资格认证流程，超过了行业标准。它采用底部冷却的 HSOF-8 封装，设计用于满足现代数据中心、服务器、电信、可再生能源和众多其他应用所需的最佳功率耗散。

特性

  • E-mode HEMT – 通常处于关闭状态
  • 超快速开关
  • 无反向恢复电荷
  • 具有反向传导能力
  • 低栅极电荷、低输出电荷
  • 卓越的换向坚固性
  • 符合 JEDEC 标准 (JESD47、JESD22)
  • 低动态 RDS(on)
  • 底部冷却

产品优势

  • 提高系统效率
  • 提高功率密度
  • 实现更高的工作频率
  • 降低系统成本
  • 降低 EMI

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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