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IPDD60R105CFD7

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英飞凌对谐振高功率拓扑的回答
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IPDD60R105CFD7
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数据手册

商品详情

  • ID max
    31 A
  • ID (@25°C) max
    31 A
  • IDpuls max
    66 A
  • Ptot max
    198 W
  • QG (typ @10V)
    36 nC
  • QG
    36 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    105 mΩ
  • RDS (on) max
    105 mΩ
  • VDS max
    600 V
  • VGS(th)
    4 V
  • 安装
    SMT
  • 封装
    D-DPAK
  • 工作温度
    -55 °C to 150 °C
  • 极性
    N
  • 预算价格€/1k
    1.57
OPN
IPDD60R105CFD7XTMA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-HDSOP-10
封装名 D-DPAK
包装尺寸 1700
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-HDSOP-10
封装名 D-DPAK
包装尺寸 1700
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
600 V CoolMOS™ CFD7 SJ MOSFET 采用了英飞凌的高压超结 MOSFET 技术，集成了快速体二极管，是CoolMOS™ 7系列的新一代产品。CoolMOS ™ CFD7 具有降低的栅极电荷 (Qg)、改善的关断行为和与竞争产品相比低高达 69% 的反向恢复电荷 (Qrr)，以及市场上最低的反向恢复时间 (trr)。

特性

  • CoolMOS ™ 7 系列
  • 低栅极电荷
  • 低存储能量 COSS
  • 低 Qrr
  • 经过现场验证的 CoolMOS ™质量
  • 自 1998 年以来的 CoolMOS ™

产品优势

  • 更高的开关频率
  • 软开关效率高
  • 更高的功率密度
  • MOSFET 适用于硬谐振拓扑
  • 实现高功率密度
  • 实现更好的控制
  • 实现完美的电气回路

文档

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