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停产
已停产
符合RoHS标准

IPI80N06S2-07

停产
55V、N 沟道、最大 6.3mΩ、汽车 MOSFET、I2PAK、OptiMOS ™
数据手册
封装

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IPI80N06S2-07
IPI80N06S2-07
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    80 A
  • IDpuls max
    320 A
  • Ptot max
    250 W
  • QG (typ @10V)
    86 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    6.3 mΩ
  • RthJC max
    0.6 K/W
  • VDS max
    55 V
  • VGS(th)
    3 V
  • Package
    I2PAK (PG-TO262-3)
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Technology
    OptiMOS™
  • Polarity
    N
  • Qualification
    Automotive
  • Budgetary Price €/1k
    1.3
OPN
IPI80N06S207AKSA2
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO262-3
封装名 I2PAK
包装尺寸 500
包装类型 TUBE
湿度 N/A
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO262-3
封装名 I2PAK
包装尺寸 500
包装类型 TUBE
湿度 -
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

特性

  • N 通道 - 增强模式
  • 符合汽车 AEC Q101 标准
  • MSL1 最高回流温度可达 260°C 峰值
  • 工作温度为 175°C
  • 绿色封装（无铅）
  • 超低 RDS(on)
  • 100% Avalanche 测试
  • 支持 PPAP 的设备

产品优势

  • 最高电流能力
  • 最低的开关和传导损耗
  • 最高热效率
  • 坚固的包装和卓越的品质
  • 优化 Qg tot，更小的驱动器输出

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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