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IPT60R150G7

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采用开尔文源概念的新型 SMD 封装
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封装
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IPT60R150G7
IPT60R150G7
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商品详情

  • ID max
    17 A
  • ID (@25°C) max
    17 A
  • IDpuls max
    45 A
  • Ptot max
    106 W
  • Qgd
    8 nC
  • QG
    23 nC
  • QG (typ @10V)
    23 nC
  • RDS (on) max
    150 mΩ
  • RDS (on) (@10V) max
    150 mΩ
  • RthJA max
    62 K/W
  • RthJC max
    1.18 K/W
  • Rth
    1.18 K/W
  • VDS max
    600 V
  • VGS(th)
    3.5 V
  • Mounting
    SMT
  • Package
    TOLL
  • Operating Temperature
    -55 °C to 150 °C
  • Pin Count
    8 Pins
  • Polarity
    N
  • Special Features
    highest performance
  • Budgetary Price €/1k
    1.3
OPN
IPT60R150G7XTMA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-HSOF-8
封装名 TOLL
包装尺寸 2000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-HSOF-8
封装名 TOLL
包装尺寸 2000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CoolMOS ™ C7 Gold 超结 MOSFET 系列 (G7) 首次融合了改进的 600V CoolMOS ™ C7 Gold 技术、4 引脚开尔文源能力以及 TO-Leadless (TOLL) 封装改进的热性能的优势，从而为高电流硬开关拓扑（例如高达 3kW 的功率因数校正 (PFC)）和谐振电路（例如高端 LLC）提供了可能的 SMD 解决方案。

特性

  • 提供一流的 FOM R DS(on)xE oss 和 R DS(on)xQ G
  • 在最小尺寸内实现一流的 R DS(on)
  • 内置 4 th 引脚开尔文源配置和低寄生源电感 (~1nH)
  • 符合 MSL1 标准，完全无铅，具有易于目视检查的凹槽引线
  • 提高热性能 R th

产品优势

  • 由于改进的 C7 Gold 技术，效率更高；由于封装寄生源电感较低以及采用 4 引脚开尔文源概念，开关速度更快。
  • 由于小尺寸封装中导通电阻 (R DS(on)) 较低，功率密度更高。这可通过更换 TO 封装（高度限制）或并联 SMD 封装（以满足散热或导通电阻 (R DS(on) 要求）来实现。
  • 通过缩短装配时间，采用 SMD 封装，生产成本得以降低。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }