IPTG018N08NM5

IPTG018N08NM5

采用鸥翼式带引脚 TO（TOLG）封装的 OptiMOS™ 功率 MOSFET，可实现更高的板载热循环性能
数据手册

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IPTG018N08NM5
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商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    253 A
  • QG (typ @10V)
    101 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    1.8 mΩ
  • 最高 VDS
    80 V
  • VGS(th) 范围
    2.2 V 至 3.8 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 封装
    TOLG (HSOG-8)
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 极性
    N
  • 预算价格€/1k
    2.07

OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
OptiMOS ™ 5 功率 MOSFET 150 V IPTG018N08NM5 采用改进的 TO 引线封装，带有鸥翼形引线。TOLG 具有与 TO-Leadless 兼容的封装尺寸，与 D2PAK 7 针相比，可提供出色的电气性能，且电路板空间减少约 60%。

特性

  • 一流的技术
  • 高额定电流 >300 A
  • 低振铃和电压过冲
  • 减少 60% 的电路板空间
  • 鸥翼形引线

产品优势

  • 高性能
  • 高系统可靠性
  • 高效率和低 EMI
  • 优化电路板利用率
  • 高热循环电路板处理

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区