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IRFB23N20D
停产
已停产
符合RoHS标准

IRFB23N20D

停产
采用 TO-220AB 封装的 200V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET

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IRFB23N20D
IRFB23N20D
  • 最高 ID (@25°C)
    24 A
  • 最高 Ptot
    170 W
  • Qgd
    27 nC
  • QG (typ @10V)
    57 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    100 mΩ
  • 最高 RthJC
    0.9 K/W
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    200 V
  • VGS(th) 范围
    3 V 至 5.5 V
  • VGS(th)
    4.25 V
  • 最高 VGS
    30 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    TO-220
  • 极性
    N
OPN
IRFB23N20DPBF
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
封装名 TO220
封装尺寸 1000
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
封装名 TO220
封装尺寸 1000
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

产品优势

  • 符合 RoHS 规定
  • 行业领先的品质
  • 全面表征雪崩电压和电流
  • 低栅极至漏极电荷,可降低开关损耗
  • 全面表征电容,包括有效功耗,以简化设计

应用

文档

设计资源

开发者社区

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