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符合RoHS标准

IRFH8201

采用 PQFN 5x6 封装的 25V 单 N 沟道功率 MOSFET
数据手册
每件.
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IRFH8201
IRFH8201
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商品详情

  • ID (@25°C) max
    324 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    3.6 W
  • Ptot max
    156 W
  • Qgd
    18 nC
  • QG (typ @4.5V)
    56 nC
  • RDS (on) (@4.5V) max
    1.6 mΩ
  • RDS (on) (@10V) max
    0.95 mΩ
  • RthJC max
    0.8 K/W
  • VDS max
    25 V
  • VGS(th)
    1.8 V
  • VGS max
    20 V
  • Mounting
    SMD
  • Package
    SuperSO8 5x6
  • Operating Temperature
    -55 °C to 150 °C
  • Polarity
    N
  • Moisture Sensitivity Level
    1
  • Budgetary Price €/1k
    0.64
受到推崇的
OPN
IRFH8201TRPBF
产品状态 active
英飞凌封装名称 PG-TDSON-8
封装名 SuperSO8 5x6
包装尺寸 4000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称 PG-TDSON-8
封装名 SuperSO8 5x6
包装尺寸 4000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
StrongIRFET™ 功率 MOSFET 系列针对低 RDS(on) 和高电流能力进行了优化。 这些器件非常适合要求高性能和耐用性的低频应用。丰富的产品组合适合广泛的应用，包括直流电机、电池管理系统、逆变器和 DC-DC 变换器。

特性

  • 针对最广泛的可用性进行了优化
  • 产品符合 JEDEC 认证
  • 行业标准表面贴装封装
  • 针对开关频率 <100kHz
进行了硅片优化

产品优势

  • 广泛分布
  • 行业标准资质水平
  • 标准引脚排列，直接替换
  • 高性能，低频率

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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