IRFYB9130CM
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IRFYB9130CM

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封装

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IRFYB9130CM
IRFYB9130CM
数据手册


商品详情

  • 最高 ID (@100°C)
    -7.1 A
  • 最高 ID (@25°C)
    -11.2 A
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    300 mΩ
  • 最低 VBRDSS
    100 V
  • 封装
    TO-257AA Tabless Low Ohmic
  • 拓扑结构
    Discrete
  • 极性
    P
  • 芯片尺寸
    3

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO257-3
封装名 TO-257 TABLESS LOW OHMIC
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 NA
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
封装产地
MX
晶圆产地
US

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO257-3
封装名 TO-257 TABLESS LOW OHMIC
封装尺寸 0
封装类型
湿度 NA
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
MX
晶圆产地
US
IRFYB9130CM 是一款高可靠性、100V、单 N 沟道 MOSFET，采用 TO-257AA Tabless 低欧姆封装，带有陶瓷孔眼。它利用 HEXFET MOSFET 技术实现低导通电阻、高跨导以及卓越的反向能量和二极管恢复 dv/dt 能力。非常适合电源、电机控制、斩波器、音频放大器和其他高能脉冲电路应用。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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