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IRFYB9130CM

数据手册
封装

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IRFYB9130CM
IRFYB9130CM
数据手册

商品详情

  • ID (@100°C) max
    -7.1 A
  • ID (@25°C) max
    -11.2 A
  • RDS (on) (@25°C) max
    300 mΩ
  • VBRDSS min
    100 V
  • Package
    TO-257AA Tabless Low Ohmic
  • Polarity
    P
  • Die Size
    3
  • Configuration
    Discrete
受到推崇的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO257-3
封装名 TO-257 TABLESS LOW OHMIC
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 NA
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO257-3
封装名 TO-257 TABLESS LOW OHMIC
包装尺寸 0
包装类型
湿度 NA
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRFYB9130CM 是一款高可靠性、100V、单 N 沟道 MOSFET，采用 TO-257AA Tabless 低欧姆封装，带有陶瓷孔眼。它利用 HEXFET MOSFET 技术实现低导通电阻、高跨导以及卓越的反向能量和二极管恢复 dv/dt 能力。非常适合电源、电机控制、斩波器、音频放大器和其他高能脉冲电路应用。

应用

文档

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