IRFYB9130CM
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IRFYB9130CM

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IRFYB9130CM
IRFYB9130CM
  • 最高 ID (@100°C)
    -7.1 A
  • 最高 ID (@25°C)
    -11.2 A
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    300 mΩ
  • 最低 VBRDSS
    100 V
  • 封装
    TO-257AA Tabless Low Ohmic
  • 极性
    P
  • 芯片尺寸
    3
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
IRFYB9130CM 是一款高可靠性、100V、单 N 沟道 MOSFET,采用 TO-257AA Tabless 低欧姆封装,带有陶瓷孔眼。它利用 HEXFET MOSFET 技术实现低导通电阻、高跨导以及卓越的反向能量和二极管恢复 dv/dt 能力。非常适合电源、电机控制、斩波器、音频放大器和其他高能脉冲电路应用。

应用

文档

设计资源

开发者社区

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