IRH9150
现货，推荐

IRH9150

数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRH9150
IRH9150
数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 2
  • 最高 ID (@100°C)
    -14 A
  • 最高 ID (@25°C)
    -22 A
  • QG
    200 nC
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    75 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    -100 V
  • 最高 VF
    -3 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    TO-204AE
  • 拓扑结构
    Discrete
  • 极性
    P
  • 生成
    R4
  • 芯片尺寸
    5
  • 质量等级
    COTS

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO204-3
封装名 TO-204AA (TO-3)
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO204-3
封装名 TO-204AA (TO-3)
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRH9150 P 沟道 MOSFET 具有抗辐射能力，电压为 -100V，电流为 -22A，采用单个 TO-204AE 封装，电气性能高达 100krad(Si) TID。IR HiRel R4 技术在高可靠性空间应用方面提供了经过验证的飞行传承。该器件的低 RDS(on) 和低栅极电荷使其成为开关应用的理想选择。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区