IRHNA57Z60
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IRHNA57Z60

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封装

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IRHNA57Z60
IRHNA57Z60
数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 3B
  • 最高 ID (@100°C)
    75 A
  • 最高 ID (@25°C)
    75 A
  • QG
    200 nC
  • QPL部件号
    2N7467U2
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    3.5 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    30 V
  • 最高 VF
    1.3 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300 500
  • 封装
    SMD-2
  • 拓扑结构
    Discrete
  • 极性
    N
  • 生成
    R5
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    6
  • 语言
    SPICE
  • 质量等级
    COTS

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-2 standard
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-2 standard
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHNA57Z60 抗辐射单 N 沟道 MOSFET 非常适合空间应用，具有 30V 和 75A 的功能。低 RDS(on) 和栅极电荷可降低开关应用中的功率损耗，同时保留 MOSFET 的优势。这些 R5 COTS 设备的特点是总剂量和单粒子效应 (SEE)，电气性能高达 100krad (Si) TID，并采用 SMD-2 封装。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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