IRHNA6S7160SCS

数据手册

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IRHNA6S7160SCS
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数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 3A
  • 最高 ID (@100°C)
    56 A
  • 最高 ID (@25°C)
    56 A
  • QG
    170 nC
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    10 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-2
  • 极性
    N
  • 生成
    R6
  • 芯片尺寸
    6
  • 认证标准
    COTS
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
IRHNA6S7160SCS R6 N 沟道 MOSFET 是一款采用 SMD-2 封装的 100V、56A 抗辐射器件。其电气性能高达 100krad(Si) TID 和 90 MeV·cm2/mg 的 LET，专为空间应用而设计。低 RDS(on) 和栅极电荷可降低 DC-DC 转换器和电机控制器中的功率损耗。电压控制、快速开关和温度稳定性使该 MOSFET 成为高可靠性应用的理想选择。

应用

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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