IRHNS597Z60
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IRHNS597Z60

数据手册
封装

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IRHNS597Z60
IRHNS597Z60
数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 3A
  • 最高 ID (@100°C)
    -56 A
  • 最高 ID (@25°C)
    -56 A
  • QG
    240 nC
  • QPL部件号
    2N7523U2A
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    13 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    -30 V
  • 最高 VF
    -5 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SupIR-SMD
  • 拓扑结构
    Discrete
  • 极性
    P
  • 生成
    R5
  • 芯片尺寸
    6
  • 质量等级
    COTS

OPN
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
C-SOG-3
封装名 SUPIR SMD
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
C-SOG-3
封装名 SUPIR SMD
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHNS597Z60 是一款 R5、抗辐射、-30V、-56A、单 P 通道 MOSFET，采用 SupIR-SMD 封装。其电气性能高达 100krad(Si) TID，并具有低 RDS(on) 和低栅极电荷，使其适用于 DC-DC 转换器和电机控制器等开关应用，同时保留了 MOSFET 的优点。

应用

文档

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合作伙伴解决方案

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